[发明专利]包括转化的超分辨率凹坑和平台的光学存储介质

权利要求书

1.一种光学存储介质，包括

基底层(2)，

数据层(3)，其具有在所述基底层(2)上的轨道中布置的带有数据的凹坑/平台数据结构，以及

非线性层(4)，其具有在所述数据层(3)上安排的超分辨率结构，其中所述数据结构包括具有高于用于读取数据的拾取器的衍射极限的尺寸的凹坑和平台(3T-5T)和具有低于所述衍射极限的尺寸的凹坑和平台(2T)，

其特征在于

具有低于所述衍射极限的尺寸的平台(2TL)被转化为凹坑(IL)，而具有低于所述衍射极限的尺寸的凹坑(2TP)被转化为平台(IP)，其中转化为凹坑(IL)的平台(2TL)和转化为平台(IP)的凹坑(2TP)由辅助平台(AL)和/或凹坑(AP)包围。

2.根据权利要求1所述的光学存储介质，其中转化的平台(IL)由辅助平台(AL)包围，而转化的凹坑(IP)由辅助凹坑(AP)包围。

3.根据权利要求1或2所述的光学存储介质，其中转化的凹坑(IP)之前的平台(3T)和之后的平台(5T)被缩短对应于辅助平台(AL)的长度的长度，而转化的平台(IL)之前的凹坑(3T)和之后的凹坑(4T)被缩短对应于辅助凹坑(AP)的长度的长度。

4.根据权利要求1、2或3所述的光学存储介质，其中所述辅助平台(AL)和辅助凹坑(AP)具有低于所述衍射极限的尺寸。

5.根据权利要求4所述的光学存储介质，其中所述辅助平台(AL)具有对应于1T平台的尺寸，而所述辅助凹坑(AP)具有对应于1T凹坑的尺寸。

6.根据前述权利要求之一所述的光学存储介质，其中所述超分辨率结构包括相变材料。

7.根据权利要求6所述的光学存储介质，其中所述相变材料是硫族化物材料，例如GeSbTe或AgInSbTe。

8.根据前述权利要求之一所述的光学存储介质，还包括所述非线性层(4)之上的覆盖层(7)，所述存储介质被设计为利用首先穿透所述覆盖层(7)的激光束来操作。

9.根据权利要求8所述的光学存储介质，还包括在所述非线性层(4)和所述数据层(3)之间布置的第一电介质层(5)和在所述非线性层(4)和所述覆盖层(7)之间布置的第二电介质层(6)。

10.根据前述权利要求之一所述的光学存储介质，其中具有低于所述衍射极限的尺寸的轨道的凹坑(2TP)和平台(2TL)是2T和/或3T凹坑和平台。

11.根据前述权利要求之一所述的光学存储介质，其中用于读取数据的拾取器的衍射极限被定义为λ/4NA，λ是激光波长，并且NA是所述拾取器的数值孔径。

12.根据前述权利要求之一所述的光学存储介质，其特征在于在转化的平台和随后的转化的凹坑之间以及在转化的凹坑和随后的转化的平台之间不包括辅助平台或辅助凹坑。

13.根据前述权利要求1-11之一所述的光学存储介质，其中转化的平台(IL)通过辅助平台(AL)与之前的凹坑隔开，并且通过辅助平台(AL)与随后的凹坑隔开，而其中转化的凹坑(IP)通过辅助凹坑(AP)与之前的平台隔开，并且通过辅助凹坑(AP)与随后的平台隔开。

14.根据前述权利要求之一所述的光学存储介质，其特征在于所述光学存储介质是只读光盘。