[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980108148.4 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101960606A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 渡边昭裕;中田修平;大塚健一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种碳化硅半导体器件，具备：
第1导电类型的碳化硅基板；
第1导电类型的碳化硅漂移层，在所述碳化硅基板的主面上设置；
一对基区，在所述碳化硅漂移层的表层部隔开设置，并呈现第2导电类型；
一对源区，在一对所述基区的表层部的内部设置，并呈现第1导电类型；
一对半绝缘区域，在所述碳化硅基板与一对所述基区之间设置；
栅电极，在所述碳化硅漂移层的表面上隔着栅绝缘膜设置；
源电极，与所述源区以及所述基区相接地设置；以及
漏电极，在所述碳化硅基板的与主面相反一侧的面上设置。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其特征在于，
一对半绝缘区域的间隔是与上端相比在下端更大。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体器件，其特征在于，
一对半绝缘区域的上端的间隔大于一对基区的间隔且小于一对源区的间隔。
4.一种碳化硅半导体器件的制造方法，具备：
在碳化硅基板上形成第1导电类型的第1碳化硅漂移层的工序；
对所述第1碳化硅漂移层的表层的一部分，隔着规定的间隔注入成为半绝缘性的杂质离子的工序；
在所述第1碳化硅漂移层上形成第2碳化硅漂移层的工序；
对所述第2碳化硅漂移层的表层的一部分，离子注入第2导电类型的杂质的工序；以及
对所述第2碳化硅漂移层的表层的一部分，离子注入第1导电类型的杂质的工序。
5.根据权利要求4所述的碳化硅半导体器件的制造方法，其特征在于，
在注入成为半绝缘性的杂质离子的工序中，相对碳化硅基板表面倾斜地注入所述杂质离子。
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