[发明专利]无需光刻胶或干蚀刻而形成图案化硬掩膜(RFP)的工艺顺序

权利要求书

1.一种使用紫外光来图案化硬掩膜的方法，该方法包括：

在一沉积腔室内，沉积一硬掩模层到一基板上；

将部分该硬掩模层暴露在紫外光下，其中被紫外光曝光的硬掩模部分在该硬掩模层上形成一曝光区域图案；及

蚀刻该硬掩模层，其中蚀刻可移除该硬掩模层的未曝光部份。

2.如权利要求1所述的方法，还包括退火该硬掩模层。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述退火是选自由蒸气退火、热退火、电感耦合等离子体退火、电容耦合等离子体退火、紫外光退火、电子束退火、酸气相催化剂退火、碱气相催化剂退火及微波退火组成的群组。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述退火是在该硬掩模被随后曝露在紫外光下之前发生的。

5.如权利要求2所述的系统，其中所述退火是在蚀刻该硬掩模之后发生的。

6.如权利要求2所述的方法，其中所述退火是在包含有一惰性气体的气体氛围下发生的。

7.如权利要求2所述的方法，其中所述退火是在包含有一种选自N₂、Ar、O₂、H₂O、NH₃、N₂/H₂或N₂O的气体的气体氛围下发生的。

8.如权利要求1所述的方法，还包括在蚀刻后，对该硬掩膜提供一等离子体处理。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述等离子体是电容耦合等离子体或电感耦合等离子体。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述等离子体处理是在包含有一选自N₂、Ar、O₂、H₂O、NH₃、N₂/H₂或N₂O的气体的气体氛围下发生的。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述紫外光包括波长小于或等于348nm的光。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻包括湿蚀刻。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述湿蚀刻包括一蚀刻剂，其选自HF、NH₄OH、SCl或RCA。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模层包括氧化硅。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模层是使用旋涂、化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积的工艺所沉积而成的。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述基板包括一选自下列的基板：硅基板、III-V族复合基板、硅/锗基板、磊晶基板、绝缘层上覆硅基板、显示器基板、液晶显示器基板、等离子体显示器基板、电致发光灯基板和发光二极管基板。

17.一种硬掩模沉积与图案化系统，其包括一沉积腔室和一紫外光源，该沉积与图案化系统包括：

沉积构件，用来在该沉积腔室中沉积一硬掩模层到一基板上；

曝光构件，用来使部分硬掩模层暴露在紫外光下，其中该紫外光可依据一图案来使该硬掩模层的多个部分曝光；及

移除构件，用来移除该硬掩模层上的未曝光部分。

18.如权利要求17所述的硬掩模沉积与图案化系统，还包括退火构件，用来退火该硬掩模层。

19.如权利要求18所述的硬掩模沉积与图案化系统，其中所述退火是选自蒸气退火、热退火、电感耦合等离子体退火、紫外光退火、电子束退火、酸气相催化剂退火、碱气相催化剂退火或微波退火。

20.如权利要求18所述的硬掩模沉积与图案化系统，其中所述退火是在该硬掩模随后被曝露在紫外光下之前发生的。

21.如权利要求18所述的硬掩模沉积与图案化系统，其中所述退火是在蚀刻该硬掩模之后发生的。

22.如权利要求18所述的硬掩模沉积与图案化系统，其中所述退火是在一包含有一惰性气体的气体氛围下发生的。