[发明专利]配线结构、薄膜晶体管基板及其制造方法、以及显示装置有效
| 申请号： | 200980108416.2 | 申请日： | 2009-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101971294A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 川上信之;越智元隆;三木绫;森田晋也;横田嘉宏;福间信也;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 显示装置 | ||
1.一种配线结构，其特征在于，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，
在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，
且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。
2.根据权利要求1所述的配线结构，其中，在所述(N、C、F)层与所述Al-Si扩散层之间，含有实质上仅由Si构成的半导体层。
3.根据权利要求1所述的配线结构，其中，所述Al-Si扩散层是在依次形成所述(N、C、F)层、所述半导体层以及所述Al系合金膜之后，通过施加热处理来得到的层。
4.根据权利要求1所述的配线结构，其中，所述半导体层含有无定形硅或多晶硅。
5.一种薄膜晶体管基板，其具备权利要求1～4中的任一项所述的配线结构。
6.一种显示装置，其具备权利要求5所述的薄膜晶体管基板。
7.根据权利要求1～4中的任一项所述的配线结构，其构成显示装置或半导体装置。
8.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，其是制造权利要求5所述的薄膜晶体管基板的方法，包括：
在薄膜晶体管的半导体层之上，形成含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的(N、C、F)层的第1工序；以及，
接着，形成半导体层的第2工序。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述第1工序在半导体层形成装置之中进行处理。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，在相同的半导体层形成用腔室内连续地进行所述第1工序和所述第2工序。
11.根据权利要求8～10中的任一项所述的制造方法，其中，所述第1工序包括通过利用含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的气体的等离子蚀刻来形成(N、C、F)层的工序。
12.根据权利要求8～10中的任一项所述的制造方法，其中，所述第1工序包括通过利用由含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的气体与用于半导体层形成的原料气体构成的混合气体的等离子蚀刻来形成(N、C、F)层的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
