[发明专利]使用外部电路的等离子体均匀性的电子控制

权利要求书

1.一种等离子体处理设备，其包含：

腔室主体；

基材支撑，其布置在所述腔室主体中；

喷淋头，其布置于所述腔室主体内与所述基材支撑相对；

电源供应，其与所述基材支撑耦合；及

从电容器、电感器及其组合所组成的组合中选择的至少一项，所述至少一项耦合至所述腔室主体、所述喷淋头及所述基材支撑中的至少两者。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一项耦合至所述喷淋头及所述腔室主体。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述喷淋头包含第一区及与所述第一区电绝缘的第二区，并且其中，所述至少一项耦合至所述第一区，并且其中，所述第二区耦合至从电容器、电感器及其组合所组成的组合中选择的至少一项。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一项耦合至所述腔室主体及所述基材支撑，并且其中，所述至少一项包括耦合至所述喷淋头的电容器及电感器。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述腔室主体及所述喷淋头中的至少一者在浮动电位处。

6.一种等离子体处理设备，其包含：

腔室主体；

基材支撑，其布置在所述腔室主体中；

喷淋头，其布置于所述腔室主体内与所述基材支撑相对；

电源供应，其与所述喷淋头耦合；

阴极罐，其布置于所述腔室主体内，所述阴极罐基本上围绕所述基材支撑；及

从电容器、电感器及其组合所组成的组合中选择的至少一项，所述至少一项耦合至所述腔室主体、所述阴极罐、所述喷淋头及所述基材支撑中的至少两者。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述至少一项耦合至所述腔室主体及所述阴极罐，并且其中，所述至少一项包含括电容器及电感器。

8.根据权利要求6所述的设备，其中所述至少一项耦合至所述阴极罐及所述喷淋头，并且其中，所述至少一项包括电容器及电感器。

9.一种蚀刻设备，其包含：

腔室主体；

基材支撑，其布置在所述腔室主体中；

喷淋头，其布置在所述腔室主体内与所述基材支撑相对；

电源供应，其与所述基材支撑耦合；

第一电容器，其与所述喷淋头耦合；

第一电感器，其耦合至所述喷淋头；

第二电容器，其耦合至所述腔室主体；及

第二电感器，其耦合至所述腔室主体。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述喷淋头包括第一区及与所述第一区电绝缘的第二区，其中，所述第一电容器及所述第一电感器与所述第一区耦合，并且其中，第三电容器及第三电感器耦合至所述第二区。

11.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一电感器的电感大于所述第二电感器的电感。

12.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一电容器的电容大于所述第二电容器的电容。

13.一种等离子体分布的控制方法，其包含下列步骤：

向布置在处理腔室中基材支撑上的基材施加电流，所述处理腔室具有腔室主体及布置在所述腔室主体内与所述基材支撑相对的喷淋头；及

将所述喷淋头、所述腔室主体及所述基材支撑中的至少两者耦合至从电容器、电感器及其组合所组成的组合中选择的一项，以调整所述等离子体分布。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括将所述喷淋头及所述腔室主体中的一者直接耦合至地的步骤。

15.根据权利要求13所述的方法，其中对所述等离子体分布的控制在蚀刻处理期间发生，并且其中，所述耦合在对层进行蚀刻时发生。