[发明专利]化合物半导体发光元件、采用该化合物半导体发光元件的照明装置以及化合物半导体发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体发光元件，其特征在于包括：

衬底；

第一电极，设置于所述衬底的其中一个面上；

纳米级的多个柱状结晶结构体，其为被依次层叠在所述衬底的另一个面上的n型半导体层、发光层以及p型半导体层；

第二电极，与所述多个柱状结晶结构体的顶部连接；以及

基础层，设置于作为所述衬底的一部分区域的第一区域的所述另一个面一侧，用于控制所述柱状结晶结构体的生长，其中，

在作为所述衬底中除所述第一区域以外的其余区域的至少一部分的第二区域与

该第一区域之间的所述另一个面上设置有高度差。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体发光元件，其特征在于：

在所述第二区域的所述另一个面，形成有与所述第一区域的基础层条件不同的基础层。

3.根据权利要求2所述的化合物半导体发光元件，其特征在于：

所述第一区域的基础层与所述第二区域的基础层的层厚以及材料中的至少其中之一被设定为互不相同。

4.根据权利要求2或3所述的化合物半导体发光元件，其特征在于：

所述基础层被分离成多个岛，

构成所述第一区域的基础层的岛的大小和构成所述第二区域的基础层的岛的大小被设定为互不相同。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的化合物半导体发光元件，其特征在于：

分别设定在所述第一及第二区域设置的各柱状结晶结构体的长度与粗度之比，使表示在所述第一及第二区域设置的柱状结晶结构体发射的光的光谱的最大强度的波长为位于与CIE色度图的白色区域交叉的直线的两端的颜色的波长。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的化合物半导体发光元件，其特征在于：

在所述衬底设置有作为除所述第一及第二区域以外的其余区域的至少一部分的第三区域，在所述衬底的所述另一个面具有与所述第一及第二区域高度不同的高度差，

在所述第三区域的所述另一个面设置有控制所述柱状结晶结构体的生长的基础层，

所述第一、第二以及第三区域的各柱状结晶结构体的长度与粗度之比被分别设定为，使表示在所述第一、第二以及第三区域设置的各柱状结晶结构体发射的光的光谱的最大强度的波长为位于包围CIE色度图的白色区域的三角形顶点的颜色的波长。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的化合物半导体发光元件，其特征在于：

所述基础层为化合物种结晶膜。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的化合物半导体发光元件，其特征在于：

所述基础层是催化剂材料膜。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的化合物半导体发光元件，其特征在于：

所述第一区域为多个，呈彼此之间隔开一定间隔的带状，

构成所述一定间隔的区域被用作所述第二区域，

所述第一电极包括：

第一区域用电极，用于向所述多个第一区域一并供给电压；以及

第二区域用电极，与该第一区域用电极隔开，用于向所述第二区域供给电压。

10.根据权利要求9所述的化合物半导体发光元件，其特征在于：

所述第一区域用电极被以梳形形成在所述衬底的所述其中一个面上，并且所述梳形的梳齿沿所述带状的第一区域配设且与所述带状的第一区域连接；

所述第二区域用电极被以梳形形成在所述衬底的所述其中一个面上，且其梳齿与所述第一区域用电极的梳齿彼此互相啮合地相对配置，并与所述第二区域连接。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的化合物半导体发光元件，其特征在于：

在所述第一区域与所述第二区域的交界部具有绝缘区域。

12.一种照明装置，其特征在于：

采用如权利要求1至11中任一项所述的化合物半导体发光元件。