[发明专利]薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管

权利要求书

1.一种反交错型的薄膜晶体管的制造方法，包括：在处理对象物上形成栅极电极的工序；在所述栅极电极上形成栅极绝缘层的工序；在所述栅极绝缘层上形成半导体层的工序；在所述半导体层上形成欧姆接触层的工序；在所述欧姆接触层上形成金属布线膜的工序；对所述欧姆接触层和所述金属布线膜进行构图，形成第一、第二欧姆接触层、源极电极和漏极电极的工序，其特征在于，

形成所述金属布线膜的工序包括：在真空环境中导入含有溅射气体和氧化性气体的气体，对含有Al和铜的铜合金靶进行溅射，在所述欧姆接触层上形成含有铜、Al和氧的紧贴层的工序。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

在所述铜合金靶中，以5原子％以上且30原子％以下的比例含有Al。

3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

形成所述金属布线膜的工序包括：在形成所述紧贴层后，在所述紧贴层上形成铜的含有率比所述紧贴层高并且电阻比所述紧贴层低的金属低电阻层。

4.如权利要求1至3的任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

作为所述氧化性气体使用O₂气体，相对于所述溅射气体100体积部分，在0.1体积部分以上且15体积部分以下的范围含有所述O₂气体。

5.如权利要求1至3的任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

作为所述氧化性气体使用CO₂气体，相对于所述溅射气体100体积部分，在0.2体积部分以上且30体积部分以下的范围含有所述CO₂气体。

6.如权利要求1至3的任意一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

作为所述氧化性气体使用H₂O气体，相对于所述溅射气体100体积部分，在0.1体积部分以上且15体积部分以下的范围含有所述H₂O气体。

7.一种反交错型的薄膜晶体管，具有：栅极电极，形成在处理对象物上；栅极绝缘层，形成在所述栅极电极上；半导体层，形成在所述栅极绝缘层上；形成在所述半导体层上并被分离的第一、第二欧姆接触层；分别形成在所述第一、第二欧姆接触层上的源极电极和漏极电极，其特征在于，

所述源极电极和所述漏极电极在与所述第一、第二欧姆接触层的接触面具有含有铜合金的紧贴层，该铜合金含有Al和氧。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一、第二欧姆接触层为n型半导体层。

9.如权利要求7或8所述的薄膜晶体管，其特征在于，

在所述紧贴层上配置有铜的含有率比所述紧贴层高并且电阻比所述紧贴层低的金属低电阻层。

10.如权利要求7至9的任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，

在所述紧贴层所含有的金属中，以5原子％以上且30原子％以下的比例含有Al。