[发明专利]具有静电放电保护单元的辐射发射型半导体芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种辐射发射型半导体芯片(1)，具有载体(5)和带有半导体层组的半导体本体(2)，其中，

所述半导体层组具有用于产生辐射的有源区(20)、第一半导体层(21)和第二半导体层(22)；

有源区(20)配置在第一半导体层(21)与第二半导体层(22)之间；

第一半导体层(21)配置在有源区(20)的远离载体(5)的一侧上；

半导体本体(2)具有延伸穿过有源区(20)的至少一个凹部(25)；

第一半导体层(21)与第一连接层(31)导电连接，第一连接层(31)在凹部(25)中从第一连接层(31)向载体(5)的方向延伸；和

第一连接层(31)由保护二极管(4)与第二半导体层(22)电连接。

2.如权利要求1所述的辐射发射型半导体芯片，其中，第一连接层(31)至少部分地在载体(5)与第二半导体层(22)之间延伸。

3.如权利要求1或2所述的辐射发射型半导体芯片，其中，保护二极管(4)被设计为肖特基二极管。

4.如权利要求1至3之一所述的辐射发射型半导体芯片，其中，在半导体芯片(1)的俯视图中，保护二极管(4)与半导体本体(2)重叠。

5.如权利要求1至4之一所述的辐射发射型半导体芯片，其中，保护二极管(4)是使用所述第二半导体层形成的。

6.如权利要求1至5之一所述的辐射发射型半导体芯片，其中，在第一连接层(31)与第二半导体层(22)之间至少部分地配置有第二连接层(32)，所述第二连接层(32)与第二半导体层(22)导电连接。

7.如权利要求6所述的辐射发射型半导体芯片，其中，保护二极管(4)是利用过渡层(40)形成的，所述过渡层与第二半导体层(22)相邻，在过渡层(40)与第二连接层(32)之间形成有绝缘层(7)。

8.如权利要求1至6之一所述的辐射发射型半导体芯片，其中，保护二极管(4)是使用第一连接层(31)形成的。

9.如权利要求1至8之一所述的辐射发射型半导体芯片，其中，半导体本体(2)的所述半导体层组所用的生长衬底(200)至少被部分地去除。

10.如权利要求1至9之一所述的辐射发射型半导体芯片，其中，所述半导体芯片被设计成LED芯片、RCLED芯片或激光二极管芯片。

11.一种制造辐射发射型半导体芯片的方法，包括下列步骤：

a)制备带有半导体层组的半导体本体(2)，所述半导体层组具有用于产生辐射的有源区(20)、第一半导体层(21)和第二半导体层(22)；

b)在半导体本体(2)中形成凹部(25)，所述凹部(25)穿过有源区(20)延伸到第一半导体层(21)中；

c)在半导体本体(2)上形成第一连接层(31)，所述第一连接层(31)延伸到凹部(25)中，所述第一连接层(31)由保护二极管(4)与第二半导体层(22)电连接；

d)完成所述半导体芯片。

12.如权利要求11所述的方法，其中，在步骤c)之前，在第二半导体层(22)上形成过渡层(40)，所述过渡层(40)与第二导体层(22)相邻。

13.如权利要求12所述的方法，其中，选择性地局部地降低第二半导体层(22)的电可接触性。

14.如权利要求13所述的方法，其中，利用灰化法和/或溅射法降低电可接触性。

15.如权利要求11至14之一所述的方法，其中，通过区域性地去除半导体本体(2)来暴露第二接触层(32)。