[发明专利]单晶制造装置及单晶的制造方法有效

专利信息
申请号: 200980109099.6 申请日: 2009-02-17
公开(公告)号: CN101970728A 公开(公告)日: 2011-02-09
发明(设计)人: 阿部孝夫 申请(专利权)人: 信越半导体股份有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B15/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 郑小军;冯志云
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 制造 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种单晶制造装置,是根据切克劳斯基法来实行的单晶制造装置,至少具备主腔室,用以收容包含坩埚的热区零件;及拉拔腔室,用于收纳从已收容在前述坩埚内的原料熔液被提拉上来的单晶,然后加以取出;该单晶制造装置的特征在于:

进而具备要被配置在前述坩埚上且有冷却介质流通的冷却管、及使该冷却管上下移动的移动机构,

而在培育前述单晶后,利用前述移动机构,使前述冷却管朝向前述坩埚下降,来冷却前述热区零件。

2.如权利要求1所述的单晶制造装置,其中前述冷却管,是由无缝管卷绕出多个环状而成的冷却管。

3.如权利要求2所述的单晶制造装置,其中前述管是铜管。

4.如权利要求13中任一项所述的单晶制造装置,其中前述冷却管被设置在可与前述拉拔腔室作置换的降温腔室内。

5.如权利要求4所述的单晶制造装置,其中前述降温腔室具备用以导入冷却气体的气体导入口。

6.如权利要求15中任一项所述的单晶制造装置,其中安装有用于对前述冷却介质进行强制冷却的热交换器。

7.一种单晶的制造方法,是根据切克劳斯基法来实行的单晶的制造方法,至少包含将投入坩埚内的原料熔化的工序、从该原料熔液培育单晶并将该单晶收纳在拉拔腔室内的工序、及用以冷却包含前述坩埚的主腔室内的热区零件的工序,其特征在于:

前述热区零件的冷却工序,包含使冷却介质在被配置于前述坩埚上的冷却管中流通,且使该冷却管朝向前述坩埚下降来冷却前述热区零件的动作。

8.如权利要求7所述的单晶的制造方法,其中前述冷却管是使用由无缝管卷绕出多个环状而形成的冷却管。

9.如权利要求8所述的单晶的制造方法,其中使用铜管来作为前述管。

10.如权利要求79中任一项所述的单晶的制造方法,其中在前述热区零件的冷却工序中,通过与前述拉拔腔室作置换,将配置有前述冷却管的降温腔室配置于前述主腔室上,然后使前述冷却管朝向前述坩埚下降。

11.如权利要求710中任一项所述的单晶的制造方法,其中在前述热区零件的冷却工序中,使冷却气体流过前述主腔室内部。

12.如权利要求711中任一项所述的单晶的制造方法,其中通过热交换器对前述冷却介质进行强制冷却。

13.如权利要求712中任一项所述的单晶的制造方法,其中在前述热区零件的冷却工序中,使前述冷却管下降至进入前述坩埚内部为止。

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