[发明专利]太阳能电池和制造用于该太阳能电池中的金属电极层的方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

第一电极层，形成于基底上；

生成层，形成于所述第一电极层上；以及

第二电极层，形成于所述生成层上，

所述第一电极层和所述第二电极层的至少之一为光透明的金属电极层，所述金属电极层具有穿过所述金属电极层的多个开口，所述金属电极层包括金属部，所述金属电极层的任意两个金属部彼此连续、无切割部分，所述金属电极层的膜厚度在10nm至200nm的范围中，且所述开口的大小等于或小于用于生成电的光的波长的1/2。

2.根据权利要求1所述的电池，其中，通过层叠为p型晶体硅层的p型硅层和为n型晶体硅层的n型硅层来形成所述生成层，所述p型硅层和所述n型硅层为单晶硅层。

3.根据权利要求1所述的电池，其中，通过层叠为p型晶体硅层的p型硅层和为n型晶体硅层的n型硅层来形成所述生成层，所述p型硅层和所述n型硅层为多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的电池，其中，通过层叠为p型半导体硅层的p层、为没有执行掺杂的未掺杂的硅层的i层、和为n型半导体硅层的n层来形成所述生成层，所述p层、所述i层、和所述n层为非晶硅层。

5.根据权利要求1所述的电池，其中，所述生成层为化合物半导体层。

6.根据权利要求1所述的电池，其中，所述金属电极层包含从Al、Ag、Au、Pt、Ni、Co、Cr、Cu、以及Ti构成的组选择的材料。

7.根据权利要求1所述的电池，其中，所述金属电极层面积的95％或更多是连续金属部之间的直线距离等于或小于用于生成电的所述波长的1/3的部分，所述连续金属部之间没有介入任何所述开口。

8.根据权利要求7所述的电池，其中，通过层叠为p型晶体硅层的p型硅层和为n型晶体硅层的n型硅层来形成所述生成层，所述p型硅层和所述n型硅层为单晶硅层。

9.根据权利要求7所述的电池，其中，通过层叠为p型晶体硅层的p型硅层和为n型晶体硅层的n型硅层来形成所述生成层，所述p型硅层和所述n型硅层为多晶硅层。

10.根据权利要求7所述的电池，其中，通过层叠为p型半导体硅层的p层、为没有执行掺杂的未掺杂的硅层的i层、和为n型半导体硅层的n层来形成所述生成层，所述p层、所述i层、和所述n层为非晶硅层。

11.根据权利要求7所述的电池，其中，所述生成层为化合物半导体层。

12.根据权利要求7所述的电池，其中，所述金属电极层包含从Al、Ag、Au、Pt、Ni、Co、Cr、Cu、以及Ti构成的组选择的材料。

13.一种用于制造根据权利要求1所述的太阳能电池的所述金属电极层的方法，

所述方法包括：

生成点状微磁畴，所述微磁畴为嵌段共聚物膜的相位分离形式；以及

通过将所述微磁畴的图案用作掩膜执行刻蚀来形成具有开口的所述金属电极层。

14.一种用于制造根据权利要求1所述的太阳能电池的所述金属电极层的方法，

所述方法包括：

制备透明基底；

在所述透明基底上形成有机聚合物层；

在所述有机聚合物层上形成无机层；

在所述无机层上生成嵌段共聚物膜的点状微磁畴；

通过将所述嵌段共聚物膜的所述微磁畴的图案转移到所述有机聚合物层和所述无机层上，利用有机聚合物和无机材料在所述透明基底的表面上形成柱状部分；

在所形成的柱状部分之间的空间处形成金属层；以及

通过去除所述有机聚合物来形成所述金属电极层。