[发明专利]靶材、源、EUV光刻设备和使用该设备的器件制造方法

权利要求书

1.一种靶材，用于被构造且被布置以产生具有在极紫外范围中的波长的辐射束的源中，所述靶材包括被配置以改变Gd的熔化温度的基于Gd的合成物。

2.根据权利要求1所述的靶材，其中所述合成物被配置以降低Gd的熔化温度。

3.根据权利要求2所述的靶材，其中所述合成物包括具有另外的元素的Gd的共晶合金。

4.根据权利要求3所述的靶材，其中所述另外的元素是从由Ag，Cu，Ni，Fe，Co，Mn，Al，Ga，Cd，Ru和Rh组成的组中选择的。

5.根据权利要求3或4所述的靶材，其中所述共晶合金中的Gd原子重量百分比是在约60％至约90％的范围内。

6.根据前述权利要求中任一项所述的靶材，其中所述靶材包括多个预先制造的固体滴。

7.一种辐射源，所述辐射源包括根据前述权利要求中的任一项所述的靶材。

8.一种光刻设备，所述光刻设备包括根据权利要求7所述的源。

9.一种靶材，所述靶材用于产生具有在极紫外范围内的波长的辐射束，所述靶包括被配置成多个预先制造的固体滴的Gd。

10.根据权利要求9所述的靶材，其中所述靶材包括Gd、或Gd氧化物、或Gd共晶合金、或Gd盐的胶体复合物。

11.根据权利要求10所述的靶材，其中所述盐是水溶性的，所述固体滴包括所述Gd盐的冷冻的水溶液。

12.一种辐射源，所述辐射源包括根据前述权利要求9-11中任一项所述的靶材。

13.一种光刻设备，所述光刻设备包括根据权利要求12所述的源。

14.一种靶材，所述靶材被用于被构造用于产生具有在极紫外范围内的波长的辐射束的源中，所述靶材包括铽。

15.根据权利要求14所述的靶材，其中铽被设置在共晶合金中。

16.根据权利要求14或15所述的靶材，所述靶材被构造成多个固体滴。

17.一种辐射源，所述辐射源包括根据前述权利要求14、15或16中任一项所述的靶材。

18.一种光刻设备，所述光刻设备包括根据权利要求17所述的源。

19.一种器件制造方法，所述方法包括将图案化的辐射束投影到衬底上，其中所述辐射通过使用包括铽的靶材来产生。

20.一种辐射源，所述辐射源包括：基于Gd的合成物，所述基于Gd的合成物被配置以改变Gd的熔化温度；和激光源，所述激光源被配置成将激光束传递至所述靶材，以产生辐射束。