[发明专利]含有含硅聚合物的组合物及其固化物无效
申请号: | 200980109518.6 | 申请日: | 2009-03-27 |
公开(公告)号: | CN101978008A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 田崎太一;山田欣司;金森太郎;八岛启介 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
主分类号: | C09D183/10 | 分类号: | C09D183/10;C08G77/50;C09D7/12;C09D183/04;C09D183/16 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 左嘉勋;顾晋伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 聚合物 组合 及其 固化 | ||
技术领域
本发明涉及一种含有含硅聚合物的组合物及其固化物,进而详细地说,涉及一种可形成气体阻隔性、在有机基板上的密合性高、进而膜厚的固化物的组合物及其固化物。
背景技术
如果使含有在主链含硅的聚合物(以下称为含硅聚合物)的组合物固化,则一般能够得到具有高耐久性的固化物,所以含硅聚合物被用于涂覆材料等。
作为上述含硅聚合物,已知有在主链具有硅原子和碳原子的聚碳硅烷、在主链具有硅原子和氧原子的聚硅氧烷等。
碳硅烷系的材料具有气体阻隔性、在有机基板上的密合性优异的特性。另一方面,聚硅氧烷系的材料可形成毫米数量级的厚膜。
但是,能用于可形成气体阻隔性和在有机基板上的密合性高、进而膜厚的固化物的组合物的含硅聚合物是未知的。
发明内容
本发明的目的是提供一种可形成气体阻隔性和在有机基板上的密合性高、进而膜厚的固化物的组合物及其固化物。
达成上述目的的本发明涉及一种组合物,其特征在于,含有:(A)含硅聚合物和(B)固化剂,所述(A)含硅聚合物具有下述通式(1)表示的结构单元(A1)和下述通式(2)表示的结构单元(A2),由结构单元(A1)构成的部分与由结构单元(A2)构成的部分的重量比((A1)∶(A2))为4∶96~70∶30。
〔上述通式(1)中,R1各自独立地表示碳原子数为1~6的1价烃基,X各自独立地表示碳原子数为1~7的2价烃基,n表示1~6的整数。〕
〔上述通式(2)中,R2表示碳原子数为1~6的1价烃基,R3表示碳原子数为1~6的1价烃基、卤原子或反应性官能团,m表示正整数。〕
作为上述组合物的优选方式,上述(A)含硅聚合物中,结构单元(A2)的数均分子量当量为100~1,000,000;
上述(A)含硅聚合物中,结构单元(A2)中R2和R3同时为甲基。
其他的发明涉及一种组合物,其特征在于,其含有(A)具有下述通式(3)表示的结构单元(A3)的含硅聚合物、和(B)固化剂。
〔上述通式(3)中,R1各自独立地表示碳原子数为1~6的1价烃基,X各自独立地表示碳原子数为1~7的2价烃基,R2和R3各自独立地表示碳原子数为1~6的1价烃基,n表示1~6的整数,m表示正整数。〕
作为上述组合物的优选方式,上述(A)含硅聚合物中,结构单元(A3)中R2和R3同时为甲基。
其他的发明涉及一种固化物,其是通过将上述组合物固化得到的。
其他的发明涉及一种含硅聚合物的制造方法,其包含使下述通式(4)表示的化合物(a1)和下述通式(5)表示的聚有机硅氧烷(a2)反应的工序。
〔上述通式(3)中,R1各自独立地表示碳原子数为1~6的1价烃基,
X各自独立地表示碳原子数为1~7的2价烃基,Y表示反应性官能团,
n表示1~6的整数。〕
〔上述通式(4)中,R2各自独立地表示碳原子数为1~6的1价烃基,R3各自独立地表示碳原子数为1~6的1价烃基、卤原子或反应性官能团,Z各自独立地表示卤原子或反应性官能团,m表示正整数。〕
并且,作为上述制造方法的优选方式,上述聚有机硅氧烷(a2)具有烷氧基、羧基、氢基(ヒドリド基)或羟基作为反应性官能团;
上述聚有机硅氧烷(a2)所具有的上述通式(5)中的R3各自独立地为碳原子数为1~6的1价烃基。
并且,其他的发明涉及一种含硅聚合物,其含有(A)上述通式(1)表示的结构单元(A1)和上述通式(2)表示的结构单元(A2),由结构单元(A1)构成的部分与由结构单元(A2)构成的部分的重量比((A1)∶(A2))为4∶96~70∶30。
通过本发明的组合物,可形成气体阻隔性、在有机基板上的密合性高、进而膜厚的固化物,该固化物能够很好地用作LED密封剂等。
附图说明
图1是表示对实施例4中得到的杂化聚合物所进行的NMR分析的结果的图。
具体实施方式
<组合物>
本发明的组合物含有(A)含硅聚合物和(B)固化剂。
(A)含硅聚合物
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