[发明专利]具有滚轧成型表面的基座和其制造方法

说明书

技术领域

本发明实施例一般地涉及一种用于处理大面积基板的装置和方法。更具体地，本发明实施例涉及一种用于在半导体处理中支撑大面积基板的基板支撑件和制造此支撑件的方法。

背景技术

用于处理大面积基板的设备已经成为诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管显示器(OLED)和太阳能面板等平板显示器制造领域中的主要投资。用于制造LCD、PDP、OLED或太阳能面板的大面积基板可以是玻璃或聚合物工件。

大面积基板通常经历多个连续步骤以在其上创造出组件、导体和绝缘体。通常在用来执行制造工艺的单一步骤的处理室内执行每个步骤。为了有效完成整个连续步骤，通常使用多个处理室。处理大面积基板的其中一个常用制造步骤是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

PECVD一般用于在诸如平面基板或半导体基板上沉积薄膜。通常在相距数英寸且平行设置的电极间的真空室中执行PECVD，且平行电极之间的间隙通常可变以使工艺最佳化。在真空室中的温度控制基板支撑件上放置将要进行处理的基板。在某些情况中，基板支撑件可以是其中一个电极。将一前驱物气体引入真空室中，通常借助位于靠近真空室顶部的分配板来引入前驱物气体。然后施加RF功率到电极上，以将真空室中的前驱物气体能量化或激发成等离子体。激发后的气体发生反应而在位于基板支撑件上的基板表面上形成材料层。通常，PECVD室中的基板支撑件或基板支撑件组件设置用来支撑且加热基板，以及作为激发前驱物气体的电极。

通常，大面积基板，例如用于制造平面面板的基板，尺寸经常超过550毫米×650毫米，表面积预期达到并超过4平方米。相应地，用于处理大面积基板的基板支撑件也照比例放大，以容纳基板的大表面积。通常利用模铸方法来制造用于高温使用的基板支撑件，并在其铝主体中包裹一个或多个加热组件和热电偶。由于基板支撑件的尺寸，通常会在基板支撑件中设置一个或多个加固件以增强基板支撑件在高温操作(即超过350℃，接近500℃以使某些薄膜中的氢含量降至最低)下的硬度和性能。然后对铝基板支撑件进行电镀以提供保护涂层。

虽然以这种方式配置的基板支撑件已经显示出良好的处理性能，但观察到两个问题。第一个问题是不均匀沉积。已经观察到薄膜厚度中出现小的局部差异，这些厚度差异经常以较薄薄膜厚度的点状形式出现，其可能危害在大面积基板上形成组件的后续生产工艺。可以认为，基板的厚度、平坦度以及光滑的基板支撑件表面中的差异(通常约50微英寸)会在整个玻璃基板表面的某些位置造成局部电容变化，因而产生局部等离子体不均匀性，从而导致沉积变化，例如薄沉积薄膜厚度的点。

第二个问题是由摩擦生电过程或两种材料彼此接触然后再彼此分开的过程而产生的静电荷所引发。其结果是，可能在基板和基板支撑件之间积累静电，使得在工艺完成时难以将基板从基板支撑件分开。

工业中已知的额外问题是静电释放(ESD)金属线产生电弧的问题。当基板尺寸增加时，ESD金属线变得更长且更大。可以认为，在等离子体沉积期间，ESD金属线中的感应电流变得大到足以损害基板。该ESD金属线的电弧问题已经成为主要的频发问题。

因此，需要一种改进的基板支撑件。

发明内容

本发明一般地提供等离子体反应器中支撑大面积基板的装置。在一个实施例中，在等离子体反应器中使用的基板支撑件包括一导电主体，其具有一顶面，该顶面具有多个滚轧成型压印(roll-formed indent)。

本发明的另一实施例提供一等离子体反应器，其包含具有一工艺容积的一室体。一喷头被配置在该工艺容积中，并经配置以将工艺气体流导入该工艺容积。一铝主体被配置在喷头底下的工艺容积中。一加热器被配置在该铝主体中。该铝主体具有一顶面，其包含滚轧成型压印。

附图说明

为了可详细理解本发明上述特征，参考实施例对以上概述的本发明做更明确详细的描述，且部分实施例绘在附图中。然而，需要指出的是，附图仅描述本发明的典型实施例，不应将附图视为本发明范围的限制，本发明允许其它等效实施例。

图1示意性描述具有一基板支撑件的一个实施例的等离子体增强化学气相沉积室的截面图；

图2是图1的基板支撑件的部分截面图；

图3是一基板支撑件的另一实施例的部分截面图；

图4示意性绘示一种形成一基板支撑件的一表面的方法的实施例；

图5A-D是图4的滚轧成型工具的各种部分视图；

图6示意性描述图4的滚轧成型工具与一基板支撑件的一顶面接触；