[发明专利]用于将膜沉积至衬底上的方法无效
| 申请号： | 200980109917.2 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101983254A | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | 乌韦·布伦德尔;赫伯特·迪特里奇;赫尔曼-约瑟夫·席姆佩尔;安德烈亚斯·施塔德勒;丹·托帕;安格利卡·巴希 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 衬底 方法 | ||
1.使用溅镀沉积工艺将膜沉积至衬底上的方法，
其中该溅镀沉积工艺包含直流电溅镀沉积；
其中该膜由至少90wt％的具有半导体性质的无机材料M2组成；
由此该无机材料M2的膜以结晶结构直接沉积，使得至少50wt％的沉积膜具有结晶结构；
其中用于该溅镀沉积的来源材料(标靶)是由至少80wt％的无机材料M2组成；
其中该无机材料M2是选自于包含含有硫、硒和/或碲的二、三或四盐的组。
2.根据权利要求1所述的方法，其中该无机材料M2选自于由SnS、Sb2S3、Bi2S3、CdSe、In2S3、In2Se3、SnS、SnSe、PbS、PbSe、MoSe2、GeTe、Bi2Te3或Sb2Te3；Cu、Sb与S(或Se、Te)的化合物(如CuSbS2、Cu2SnS3、CuSbSe2、Cu2SnSe3)；Pb、Sb与S(或Se或Te)的化合物(PbSnS3、PbSnSe3)或其组合所组成的组。
3.根据权利要求2所述的方法，其中该无机材料M2为SnS、Sb2S3、Bi2S3、SnSe、Sb2Se3、Bi2Se3、Sb2Te3或其组合。
4.根据权利要求3所述的方法，其中该无机材料M2选自于由SnS、Bi2S3或其组合所组成的组。
5.根据权利要求4所述的方法，其中该无机材料M2为SnS，且该结晶结构为斜方晶。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在该沉积时间的至少90％期间，该衬底温度T1维持低于200℃。
7.根据权利要求6所述的方法，其中温度T1是维持低于100℃。
8.根据权利要求6所述的方法，其中温度T1是维持低于60℃。
9.根据权利要求1所述的方法，其中该工艺的参数(t，T，p，P，U，…)设定为使得该无机材料M2的膜以至少60nm/分钟(1nm/s)的沉积速率沉积。
10.根据权利要求1所述的方法，其中在该膜沉积前，已经沉积另一层无机材料M1。
11.根据权利要求10所述的方法，其中该无机材料M1选自于由金属或导电性氧化物组成的组。
12.根据权利要求10所述的方法，其中该无机材料M1已经以溅镀沉积工艺沉积。
13.根据权利要求1所述的方法，其中该衬底是选自于由陶瓷、玻璃、聚合物、塑料组成的组。
14.由根据权利要求1至13任一项的方法制造的产品。
15.太阳能电池，其包含由根据权利要求1至13任一项的方法制造的产品。
16.太阳能电池，其包含吸收层，其中该吸收层根据权利要求1至13任一项的方法沉积。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980109917.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
