[发明专利]Ni-P层系统及其制备方法

权利要求书

1.层系统，其包含在表面已经过电抛光的基底上的：

(i)厚度≤3.0微米的Ni层，

(ii)厚度≤1.0微米的Ni-P层，

(iii)厚度≤1.0微米的Au层。

2.根据权利要求1的层系统，其中所述基底包含铜基基底。

3.根据权利要求1的层系统，其中所述Ni-P层具有0.05微米至0.8微米的厚度。

4.根据权利要求3的层系统，其中所述Ni-P层具有0.01微米至0.40微米的厚度。

5.根据权利要求1至4的层系统，其中所述Ni层具有1.0至2.0微米的厚度。

6.根据权利要求1的层系统，其经过后浸渍处理。

7.根据权利要求1的层系统，其中所述Ni-P层(i)具有3至25重量％的磷含量。

8.根据权利要求1的层系统，其中所述Au层进一步包含选自由Fe、Co和Ni组成的组的元素。

9.层系统的制备方法，所述层系统包含在基底上的：

(i)厚度≤3.0微米的Ni层，

(ii)厚度≤1.0微米的Ni-P层，

(iii)≤1.0微米的Au层，

所述方法包括下述步骤：

(i)电抛光所述基底的表面，

(ii)将Ni层镀到上述步骤(i)中获得的电抛光表面上，使得所述Ni层的厚度≤3.0微米，

(iii)将Ni-P层镀到上述步骤(ii)中获得的Ni层上，使得所述Ni-P层的厚度≤1.0微米，

(iv)将Au层镀到上述步骤(iii)中获得的Ni-P层上，使得所述Au层的厚度≤1.0微米。

10.根据权利要求9的方法，在电抛光步骤(i)之前进一步包括下述步骤：

(v)热脱脂，

(vi)阴极脱脂，和

(vii)酸洗。

11.根据权利要求9或10的方法，其中Ni层以1.0至2.0微米的厚度镀到所述被电抛光的表面上。

12.根据权利要求9至11的方法，进一步包括：

(viii)在步骤(iv)后通过后浸渍处理所述层系统的步骤。

13.电子器件基底，包含根据权利要求1至8的层系统。

14.根据权利要求13的电子器件基底，其是电子部件的引线。

15.根据权利要求14的电子器件基底，其是引线框、电连接器、电触点或无源元件的引线。

16.根据权利要求15的电子器件基底，其中所述无源元件是片状电容器和片状电阻器。