[发明专利]SOI晶片的制造方法无效
| 申请号： | 200980110193.3 | 申请日： | 2009-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101978467A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;飞坂优二;田村博 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/306;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 张淑珍;王维玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 晶片 制造 方法 | ||
1.一种制造SOI晶片的方法，所述方法至少包含以下工序：
将硅晶片或含有氧化膜的硅晶片与支撑晶片贴合以制备贴合基板的工序，所述硅晶片通过注入氢离子和/或稀有气体离子而形成离子注入层；
沿所述离子注入层进行剥离，从而将所述硅晶片转印至所述支撑晶片上，制成剥离后的SOI晶片的工序；
将所述剥离后的SOI晶片在氨-过氧化氢水溶液中浸渍的工序；以及
对所述经过氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片施以900℃以上的热处理的工序，和/或通过10-50nm的CMP研磨，对所述经过氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片的硅膜层进行研磨的工序。
2.如权利要求1所述的制造SOI晶片的方法，其中，在所述氨-过氧化氢水溶液中浸渍的工序之后，进行所述热处理工序；所述在氨-过氧化氢水溶液中浸渍的工序至少包含对所述剥离后的SOI晶片进行20nm以上的蚀刻。
3.如权利要求1或2所述的制造SOI晶片的方法，其中，所述在氨-过氧化氢水溶液中浸渍的工序至少包含对所述剥离后的SOI晶片进行50nm以上的蚀刻。
4.如权利要求1-3中任一项所述的制造SOI晶片的方法，其中，所述氨-过氧化氢水溶液基于体积组成比至少包括以下成分：0.05-2份的29wt％的氨水；0.01-0.5份的30wt％的过氧化氢水溶液；以及10份水。
5.如权利要求1-4中任一项所述的制造SOI晶片的方法，其中，所述支撑晶片至少包含硅、蓝宝石、氧化铝、石英、SiC、氮化铝以及玻璃中的任意材料。
6.如权利要求1-5中任一项所述的制造SOI晶片的方法，其中，所述热处理工序在氩气、氮气和氦气中的任意气氛中进行，或在它们的混合气氛中进行。
7.如权利要求1-5中任一项所述的制造SOI晶片的方法，其中，所述热处理工序在氧气气氛中进行，或在氩气、氮气及氦气中的至少一种与氧气的混合气氛中进行。
8.如权利要求1-5中任一项所述的制造SOI晶片的方法，其中，所述热处理工序在氢气气氛中进行，或在氩气、氮气及氦气中的至少一种与氢气的混合气氛中进行。
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