[发明专利]成膜方法及成膜装置、计算机可读存储介质

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于，使包含含羰基金属原料气体和含一氧化碳运载气体的处理气体，避开所述被处理基板表面而在比被处理基板的外周更靠直径方向上外侧的外侧区域流动，使所述羰基金属从所述处理气体流向所述被处理基板表面扩散，在所述被处理基板表面进行金属膜的成膜。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述处理气体流，是通过使所述处理气体介由与所述被处理基板表面对峙配置的具有比所述被处理基板的外周大的外周的挡板进行流动而形成的。

3.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，在所述被处理基板的所述直径方向上外侧的区域设有构成节流的排气口，通过控制所述节流来控制向所述被处理基板表面进行成膜的成膜速度。

4.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述成膜是在产生所述羰基金属的分解被一氧化碳气体抑制的效果的基板温度下执行。

5.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述成膜是在230℃以下的基板温度下执行。

6.一种成膜装置，其特征在于，

具备：保持被处理基板的基板保持台，

与所述基板保持台一起划分处理空间的处理容器，

在所述基板保持台的直径方向上外侧对所述处理空间进行排气的排气口，以及

处理气体供给部，其在所述处理容器上与所述基板保持台对峙设置，向所述处理空间供给包含原料气体和运载气体的处理气体；

所述处理气体供给部，在从垂直方向看所述基板保持台时比所述基板保持台上的所述被处理基板更靠直径方向上外侧的部分上，形成有使所述处理气体以在所述处理空间中避开所述被处理基板而向所述排气口流动的方式进行供给的处理气体导入部。

7.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，所述处理气体导入部包括与所述基板保持台对峙配设的挡板，和从垂直方向上看所述基板保持台时沿着所述基板保持台上的被处理基板的外周在所述挡板上形成的多个开口部。

8.如权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，所述多个开口部分别沿着所述外周延伸存在。

9.如权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，所述多个开口部形成沿着所述外周延伸存在的开口部列。

10.如权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，所述多个开口部形成沿着所述外周延伸存在的多个开口部列。

11.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，所述排气口在所述基板保持台的外周和所述处理容器之间，沿着所述基板保持台的外周连续地形成。

12.如权利要求11所述的成膜装置，其特征在于，所述基板保持台相对于所述处理容器能接近、分离地被保持，通过使所述基板保持台相对于所述处理容器接近、分离而使所述排气口的传导发生变化。

13.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，所述原料气体包含羰基金属，所述运载气体包含一氧化碳。

14.如权利要求13所述的成膜装置，其特征在于，所述基板保持台包含加热器，所述加热器由控制装置进行控制，所述控制装置将所述基板保持台的温度控制在一氧化碳能够抑制所述羰基金属的分解的温度以下。

15.如权利要求14所述的成膜装置，其特征在于，所述控制装置将所述基板保持台的温度控制在230℃以下。

16.一种计算机可读存储介质，存储了在被执行时使通用计算机控制成膜装置的软件，其特征在于，

所述成膜装置具备：保持被处理基板的基板保持台；和与所述基板保持台一起划分处理空间的处理容器；和在所述基板保持台的直径方向上外侧对所述处理空间进行排气的排气口；以及处理气体供给部，其在所述处理容器上与所述基板保持台对峙设置，向所述处理空间供给包含原料气体和运载气体的处理气体；所述处理气体供给部，在从垂直方向看所述基板保持台时比所述基板保持台上的所述被处理基板直径方向上更靠外侧的部分上，形成有使所述处理气体以在所述处理空间中避开所述被处理基板而向所述排气口流动的方式进行供给的处理气体导入部；所述处理气体供给部作为所述处理气体供给羰基金属原料，并且作为运载气体供给一氧化碳，

所述通用计算机将所述基板保持台的温度控制在一氧化碳能够抑制所述羰基金属的分解的温度以下。