[发明专利]具供设置反射性电极的平滑表面的发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，该发光二极管包括：

外延层结构；

第一电极；以及

第二电极，

其中，所述第一电极和所述第二电极设置在所述外延层结构上，并且所述外延层结构在形成有所述第二电极的表面上具有小于约3nm的均方根粗糙度。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第二电极包括从包括Ag、Pt、Ni、Cr、Ti、Al、Pd、W、Ru、Rh、Mo和它们的合金的组中选择的金属。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述外延层结构包括第一外延层和第二外延层，其中，所述第一外延层在所述第一电极与所述第二外延层之间，而所述第二外延层在所述第二电极与所述第一外延层之间。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，所述第二电极形成在所述第二外延层上，并且所述第二外延层的形成有所述第二电极的表面具有小于约3nm的均方根粗糙度。

5.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，所述第一外延层是n型外延层，而所述第二外延层是p型外延层。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，所述第一电极是n型电极，而所述第二电极是p型电极。

7.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，所述第二外延层是使用金属有机化合物溶液、通过金属有机化学气相淀积来淀积的。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其中，所述第二外延层是以不低于950℃的温度和不超过/分钟的生长速度来形成的。

9.根据权利要求3所述的发光二极管，该发光二极管还包括形成在所述第二外延层与所述第二电极之间的透明欧姆接触层。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其中，所述透明欧姆接触层的与所述第二电极相邻的表面具有小于约3nm的均方根粗糙度。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一电极和所述第二电极淀积在所述外延层结构的任一侧。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其中，所述第二电极安装在衬底上。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其中，所述衬底是从包括金属、半导体材料以及陶瓷的组中选择的。

14.根据权利要求13所述的发光二极管，其中，所述金属包括从包括Cu、Mo、W和Al的组中选择的至少一种，其中，所述半导体材料包括从包括Si、GaAs、GaP、InP和Ge的组中选择的至少一种，并且其中，所述陶瓷包括从包括Al₂O₃和AlN的组中选择的至少一种。

15.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一电极和所述第二电极淀积在所述外延层结构的一侧。

16.根据权利要求15所述的发光二极管，其中，所述外延层结构包括p型外延层和n型外延层，其中，所述n型外延层在所述第一电极与所述p型外延层之间，而所述p型外延层在所述第二电极与所述n型外延层之间，并且其中，所述第一电极位于所述n型外延层上。

17.根据权利要求15所述的发光二极管，其中，所述第一电极和所述第二电极安装在衬底上。

18.根据权利要求15所述的发光二极管，其中，所述第一电极和所述第二电极经由焊料焊接和金属互连中的一种安装在所述衬底上。

19.根据权利要求15所述的发光二极管，其中，所述衬底是从包括金属、半导体材料以及陶瓷的组中选择的。

20.根据权利要求19所述的发光二极管，其中，所述金属包括从包括Cu、Mo、W和Al的组中选择的至少一种，其中，所述半导体材料包括从包括Si、GaAs、GaP、InP和Ge的组中选择的至少一种，并且其中，所述陶瓷包括从包括Al₂O₃和AlN的组中选择的至少一种。

21.根据权利要求17所述的发光二极管，其中，所述衬底上具有绝缘涂层。