[发明专利]涂覆金的多晶硅反应器系统和方法

权利要求书

1.一种反应器系统，包括：

反应室，包含至少一固定在该反应室内的底盘和可操作地连接到该底盘的壳体，该反应室的至少一部分涂覆有厚度至少约0.1微米的金层；

至少一细丝，连接到该底盘；

电流源，用以供应电流到该细丝；以及

气体源，可操作地连通到该反应室，以让气体流经该反应室。

2.如权利要求1所述的反应器系统，其中，该电流通过该底盘中的一电馈入装置直接供应到该细丝。

3.如权利要求1所述的反应器系统，其中，该反应室进一步包括观察口，用以观察该反应室的内部部分。

4.如权利要求1所述的反应器系统，其中，该反应室涂覆有厚度约0.5至3.0微米的金层。

5.如权利要求1所述的反应器系统，其中，该至少一细丝包括硅。

6.如权利要求1所述的反应器系统，进一步包括冷却系统，具有至少一可操作地连接到该反应器系统的流体入口和流体出口。

7.如权利要求1所述的反应器系统，其中，该反应器系统为化学气相沉积反应器系统。

8.如权利要求1所述的反应器系统，其中，涂覆有该金层的该反应室的发射率在约0.01至0.03之间。

9.一种应用于化学气相沉积反应器中的反应室，包括：

至少一底盘，固定在该反应室内；

至少一细丝，连接到该底盘，该反应室可操作地连接到一电流源和气体源，以使材料沉积于该细丝上；以及

该反应室的至少一部分涂覆有厚度至少约0.1微米的金层。

10.如权利要求9所述的反应室，其中，一电流由该电流源供应到该细丝。

11.如权利要求10所述的反应室，其中，该电流通过该底盘内的一电馈入装置直接供应到该细丝。

12.如权利要求9所述的反应室，进一步包括至少一可操作地连接到该反应室的气体入口和气体出口，以让气体流经该反应室。

13.如权利要求9所述的反应室，进一步包括观察口，用以观察该反应室的内部部分。

14.如权利要求9所述的反应室，其中，该至少一细丝包括硅。

15.如权利要求9所述的反应室，其中，涂覆有该金层的该反应室的发射率在约0.01至0.03之间。

16.一种在反应器中沉积材料的方法，包括下列步骤：

设置反应室，该反应室包括至少一固定在该反应室内的底盘和可操作地连接到该底盘的壳体，该反应室的至少一部分涂覆有厚度至少约0.1微米的金层；

将至少一细丝连接到该底盘；

将电流源连接到该反应室，以供应电流到该细丝；

将气体源连通到该反应室，以让气体流经该反应室；以及

操作该反应器，以在该反应室中的该细丝上沉积材料。

17.如权利要求16所述的方法，其中，沉积在该细丝上的该材料为多晶硅。

18.如权利要求16所述的方法，其中，该细丝包括硅。

19.如权利要求16所述的方法，其中，该反应器为化学气相沉积反应器。

20.如权利要求16所述的方法，进一步包括下述步骤：

通过在该底盘内的一电馈入装置直接将该电流供应到该细丝。

21.如权利要求16所述的方法，其中，该反应室涂覆有厚度约0.5至3.0微米的金层。

22.如权利要求16所述的方法，其中，该反应室涂覆有发射率在约0.01至0.03之间的金层。

23.如权利要求16所述的方法，其中，该反应室进一步包括观察口，用以观察该反应室的内部部分。