[发明专利]用于硅晶片划线的自动聚焦方法与设备有效
申请号: | 200980111271.1 | 申请日: | 2009-03-24 |
公开(公告)号: | CN101983420A | 公开(公告)日: | 2011-03-02 |
发明(设计)人: | 谢秀平;朱俊;蕾芙·萨尔菲尔德;黄崇博 | 申请(专利权)人: | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 美国奥*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶片 划线 自动 聚焦 方法 设备 | ||
1.一种用于量化在激光处理系统中激光焦点与工件之间相对位移的改良方法,该激光处理系统包括具有一焦点的一工作激光;及一测量激光,该测量激光是产生一测量激光束;及一激光束侦测器,该测量激光束与该激光束侦测器是运作以量化该激光焦点与该工件之间的位移,该工件包括一顶端表面与一底端表面,该改良包含:
设定该测量激光束的极化至一特定极化型式与相关于该工件顶端表面的特定方位;及
以一掠射角指向该测量激光束至该工件,选定该掠射角以最大化反射自该工件顶端表面的测量激光束能量对于反射自该工件的该端底表面且随后为由该激光束侦测器所侦测的测量激光束能量的量的比值;
其中,该工作激光与该测量激光是操作在不同波长;且
其中,当该工件是相关于该激光焦点快速移动,该测量激光束与该激光束侦测器是量化该激光焦点与该工件之间的相对位移。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该激光束的该特定极化型式是实质为线性。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该激光束的该特定方位相对于该工件的该顶端表面实质为s极化。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该掠射角是相对于该工件的该顶端表面的一垂线位于约84度与约87度之间。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该快速移动是大于约10毫米/秒(mm/s)且小于1000毫米/秒(mm/s)。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该测量激光是操作在约700纳米(nm)以下的一波长。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该测量激光束是运用一针孔孔径而为准直。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该测量激光束被带通滤波。
9.一种用于量化在激光处理系统中激光焦点与工件之间相对位移的改良设备,该激光处理系统包括一工作激光,该工作激光包括一激光焦点;一测量激光,该测量激光是产生一测量激光束;测量激光光学器件及一激光束侦测器,该测量激光束、测量激光光学器件与该激光束侦测器是运作以量化该激光焦点与该工件之间的位移,该工件包括一顶端表面与一底端表面,改良包含:
该测量激光与测量激光光学器件是运作以指向该测量激光束为反射离开该工件且由该激光束侦测器所侦测,且因此量化该激光焦点与该工件之间的相对位移,该激光束具有特定的极化且该激光束是指向以对于该工件的该顶端表面的特定方位撞击该工件的该顶端表面;
该测量激光束是进而以一掠射角指向至该工件,选择该掠射角以最大化反射自该工件的该顶端表面的激光束能量对于反射自该工件的该底端表面且随后由该激光束侦测器所侦测的激光束能量的量的比值;
其中,该工作激光与该测量激光是操作于不同波长;及
其中,当该工件是相对于该激光焦点快速移动,该激光束是指向以反射离开该工件,因此量化该激光焦点与该工件之间的该相对位移。
10.如权利要求9所述的设备,其特征在于,该激光束的该特定极化型式是实质为线性。
11.如权利要求9所述的设备,其特征在于,该特定方位是相对于该工件的该顶端表面实质为s极化。
12.如权利要求9所述的设备,其特征在于,该掠射角是相对于该工件的该顶端表面的一垂线位于约84度与约87度之间。
13.如权利要求9所述的设备,其特征在于,该移动是位于约10毫米/秒(mm/s)与约1000毫米/秒(mm/s)之间。
14.如权利要求9所述的设备,其特征在于,该工作激光与该测量激光操作在不同波长。
15.如权利要求9所述的设备,其特征在于,该测量激光是操作在约700纳米(nm)以下的一波长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造