[发明专利]导电性组合物及其在半导体装置制造中的使用方法

权利要求书

1.厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包含：

a)导电材料；

b)含铑添加剂；

c)一种或多种玻璃料；和

d)有机介质，

其中a)、b)和c)分散于d)中。

2.权利要求1的组合物，其中所述导电材料为银。

3.权利要求1的组合物，其中所述含铑添加剂包含树脂酸铑和铑金属中的一者或多者。

4.权利要求3的组合物，其中所述铑金属为所述总导电组合物的.001至10重量％。

5.权利要求4的组合物，其中所述铑金属为所述总导电组合物的0.01至0.03重量％。

6.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料包含按总玻璃组合物的重量百分比计：SiO₂ 1-36、Al₂O₃ 0-7、B₂O₃ 1.5-19、PbO 20-83、ZnO0-42、CuO 0-4、ZnO 0-12、Bi₂O₃ 0-35、ZrO₂ 0-8、TiO₂ 0-7、PbF₂3-34。

7.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料为无铅的。

8.权利要求1的组合物，其中所述组合物包含一种或多种选自以下的附加金属/金属氧化物：(a)金属，其中所述金属选自锌、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜、和铬；(b)一种或多种金属的金属氧化物，所述金属选自锌、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时能够生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混合物。

9.权利要求1的组合物，其中所述含锌添加剂包括ZnO。

10.权利要求1的组合物，其中所述银为所述厚膜组合物总固体组分的70至99重量％。

11.制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)提供一个或多个半导体基板、一个或多个绝缘膜、和权利要求2的厚膜组合物；

(b)将所述绝缘膜施加到所述半导体基板上；

(c)将所述厚膜组合物施加到所述半导体基板上的绝缘膜上；和

(d)焙烧所述半导体、绝缘膜和厚膜组合物，

其中在焙烧时，所述有机载体被移除，所述银和玻璃料被烧结，并且所述绝缘膜被所述厚膜组合物的组分穿透。

12.权利要求11的方法，其中所述绝缘膜包含一种或多种选自以下的组分：氧化钛、氮化硅、SiNx:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化钛。

13.由权利要求11所述的方法制造的半导体装置。

14.包括电极的半导体装置，其中所述电极在焙烧之前包含权利要求1的组合物。

15.包括权利要求14的半导体装置的太阳能电池。