[发明专利]利用氟化碳纳米管的电子器件无效
申请号: | 200980111723.6 | 申请日: | 2009-04-01 |
公开(公告)号: | CN101983440A | 公开(公告)日: | 2011-03-02 |
发明(设计)人: | G·B·布兰歇;H·S·M·卢 | 申请(专利权)人: | 纳幕尔杜邦公司 |
主分类号: | H01L51/30 | 分类号: | H01L51/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孟慧岚;李炳爱 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 氟化 纳米 电子器件 | ||
1.包括半导体组件的电子器件,其中所述半导体组件包括至少一种用氟化烯烃官能化的碳纳米管。
2.权利要求1的电子器件,其中所述至少一种碳纳米管为碳纳米管的逾渗阵列。
3.权利要求1的电子器件,所述电子器件还包括:
a)源极;
b)漏极;
c)栅介质;和
d)栅极。
4.权利要求1的电子器件,其中所述氟化烯烃选自全氟(4-甲基-3,6-二氧杂-7-辛烯)磺酰基氟、全氟(5-甲基-3,6-二氧杂-1-壬烯)、四氟乙烯、三氟乙烯、1-溴-1-氯二氟乙烯、1,1,2,3,3-五氟丙烯、七氟-1-丁烯、全氟己烯、五氟乙基三氟乙烯基醚、三氟甲基三氟乙烯基醚、七氟丙基三氟乙烯基醚以及它们的混合物。
5.权利要求4的电子器件,其中所述氟化烯烃为全氟(4-甲基-3,6-二氧杂-7-辛烯)磺酰基氟,并且浓度比cpsepve/ccnt介于0.005和0.035之间。
6.权利要求4的电子器件,其中所述氟化烯烃为全氟(4-甲基-3,6-二氧杂-7-辛烯)磺酰基氟,并且浓度比cpsepve/ccnt介于0.007和0.02之间。
7.权利要求1的电子器件,其中所述电子器件为晶体管。
8.方法,所述方法包括:
a)提供包括源极和漏极的基底;
b)将至少一种用氟化烯烃官能化的碳纳米管沉积到所述基底上。
9.权利要求8的方法,其中所述至少一种碳纳米管为逾渗阵列。
10.方法,所述方法包括:
a)提供基底;
b)将至少一种用氟化烯烃官能化的碳纳米管沉积到所述基底上;和
c)将源极和漏极沉积到碳纳米管的阵列上。
11.权利要求10的方法,其中所述至少一种碳纳米管为逾渗阵列。
12.权利要求8的方法,其中所述氟化烯烃选自全氟(4-甲基-3,6-二氧杂-7-辛烯)磺酰基氟、全氟(5-甲基-3,6-二氧杂-1-壬烯)、四氟乙烯、三氟乙烯、1-溴-1-氯二氟乙烯、1,1,2,3,3-五氟丙烯、七氟-1-丁烯、全氟己烯、五氟乙基三氟乙烯基醚、三氟甲基三氟乙烯基醚、七氟丙基三氟乙烯基醚以及它们的混合物。
13.权利要求10的方法,其中所述氟化烯烃选自全氟(4-甲基-3,6-二氧杂-7-辛烯)磺酰基氟、全氟(5-甲基-3,6-二氧杂-1-壬烯)、四氟乙烯、三氟乙烯、1-溴-1-氯二氟乙烯、1,1,2,3,3-五氟丙烯、七氟-1-丁烯、全氟己烯、五氟乙基三氟乙烯基醚、三氟甲基三氟乙烯基醚、七氟丙基三氟乙烯基醚以及它们的混合物。
14.包含用氟化烯烃官能化的碳纳米管的组合物,所述氟化烯烃选自全氟(5-甲基-3,6-二氧杂-1-壬烯)、三氟乙烯、1-溴-1-氯二氟乙烯、1,1,2,3,3-五氟丙烯、七氟-1-丁烯、全氟己烯、五氟乙基三氟乙烯基醚、三氟甲基三氟乙烯基醚、七氟丙基三氟乙烯基醚以及它们的混合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择