[发明专利]利用氟化碳纳米管的电子器件无效

专利信息
申请号: 200980111723.6 申请日: 2009-04-01
公开(公告)号: CN101983440A 公开(公告)日: 2011-03-02
发明(设计)人: G·B·布兰歇;H·S·M·卢 申请(专利权)人: 纳幕尔杜邦公司
主分类号: H01L51/30 分类号: H01L51/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 孟慧岚;李炳爱
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 利用 氟化 纳米 电子器件
【权利要求书】:

1.包括半导体组件的电子器件,其中所述半导体组件包括至少一种用氟化烯烃官能化的碳纳米管。

2.权利要求1的电子器件,其中所述至少一种碳纳米管为碳纳米管的逾渗阵列。

3.权利要求1的电子器件,所述电子器件还包括:

a)源极;

b)漏极;

c)栅介质;和

d)栅极。

4.权利要求1的电子器件,其中所述氟化烯烃选自全氟(4-甲基-3,6-二氧杂-7-辛烯)磺酰基氟、全氟(5-甲基-3,6-二氧杂-1-壬烯)、四氟乙烯、三氟乙烯、1-溴-1-氯二氟乙烯、1,1,2,3,3-五氟丙烯、七氟-1-丁烯、全氟己烯、五氟乙基三氟乙烯基醚、三氟甲基三氟乙烯基醚、七氟丙基三氟乙烯基醚以及它们的混合物。

5.权利要求4的电子器件,其中所述氟化烯烃为全氟(4-甲基-3,6-二氧杂-7-辛烯)磺酰基氟,并且浓度比cpsepve/ccnt介于0.005和0.035之间。

6.权利要求4的电子器件,其中所述氟化烯烃为全氟(4-甲基-3,6-二氧杂-7-辛烯)磺酰基氟,并且浓度比cpsepve/ccnt介于0.007和0.02之间。

7.权利要求1的电子器件,其中所述电子器件为晶体管。

8.方法,所述方法包括:

a)提供包括源极和漏极的基底;

b)将至少一种用氟化烯烃官能化的碳纳米管沉积到所述基底上。

9.权利要求8的方法,其中所述至少一种碳纳米管为逾渗阵列。

10.方法,所述方法包括:

a)提供基底;

b)将至少一种用氟化烯烃官能化的碳纳米管沉积到所述基底上;和

c)将源极和漏极沉积到碳纳米管的阵列上。

11.权利要求10的方法,其中所述至少一种碳纳米管为逾渗阵列。

12.权利要求8的方法,其中所述氟化烯烃选自全氟(4-甲基-3,6-二氧杂-7-辛烯)磺酰基氟、全氟(5-甲基-3,6-二氧杂-1-壬烯)、四氟乙烯、三氟乙烯、1-溴-1-氯二氟乙烯、1,1,2,3,3-五氟丙烯、七氟-1-丁烯、全氟己烯、五氟乙基三氟乙烯基醚、三氟甲基三氟乙烯基醚、七氟丙基三氟乙烯基醚以及它们的混合物。

13.权利要求10的方法,其中所述氟化烯烃选自全氟(4-甲基-3,6-二氧杂-7-辛烯)磺酰基氟、全氟(5-甲基-3,6-二氧杂-1-壬烯)、四氟乙烯、三氟乙烯、1-溴-1-氯二氟乙烯、1,1,2,3,3-五氟丙烯、七氟-1-丁烯、全氟己烯、五氟乙基三氟乙烯基醚、三氟甲基三氟乙烯基醚、七氟丙基三氟乙烯基醚以及它们的混合物。

14.包含用氟化烯烃官能化的碳纳米管的组合物,所述氟化烯烃选自全氟(5-甲基-3,6-二氧杂-1-壬烯)、三氟乙烯、1-溴-1-氯二氟乙烯、1,1,2,3,3-五氟丙烯、七氟-1-丁烯、全氟己烯、五氟乙基三氟乙烯基醚、三氟甲基三氟乙烯基醚、七氟丙基三氟乙烯基醚以及它们的混合物。

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