[发明专利]在半导体处理系统中离子源的清洗

权利要求书

1.一种在离子植入系统的运行过程中监测所述系统的丝极状态的方法，包括：

(a)在离子源的电弧室中使用足以在所述电弧室中产生等离子体的初始电流向丝极供电；

(b)测量对所述丝极的电流输入以将所述电弧室中的等离子体保持在连续的等离子体产生的预定时间；

(c)将在所述预定时间测量的所述电流输入与所述初始电流进行比较；以及

(d)从这种比较中确定材料是否已经沉积在所述丝极上或是否已经发生所述丝极的侵蚀，其中，相对于所述初始电流，在所述预定时间的更大的电流表示材料在所述丝极上的沉积，而相对于所述初始电流，在所述预定时间的更小的电流表示所述丝极的侵蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述丝极包含钨。

3.根据权利要求1所述的方法，包括从这种比较中确定材料已经沉积在所述丝极上。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积在所述丝极上的所述材料包括选自由硼、硅、砷、磷、锗、钨、钼、硒、锑、铟、钽以及碳组成的组中的材料。

5.根据权利要求1所述的方法，包括从这种比较中确定已经发生所述丝极的侵蚀。

6.一种在离子植入系统的运行过程中控制所述系统的丝极状态的方法，包括：

(a)在离子源的电弧室中使用足以在所述电弧室中产生等离子体的初始电流向丝极供电；

(b)测量对所述丝极的电流输入以将所述电弧室中的等离子体保持在连续的等离子体产生的预定时间；

(c)将在所述预定时间测量的所述电流输入与所述初始电流进行比较；

(d)从这种比较中确定材料是否已经沉积在所述丝极上或是否已经发生所述丝极的侵蚀，其中，相对于所述初始电流，在所述预定时间的更大的电流表示材料在所述丝极上的沉积，而相对于所述初始电流，在所述预定时间的更小的电流表示所述丝极的侵蚀；以及

(e)响应于所述确定，从所述丝极去除沉积的材料或在所述丝极上沉积附加的材料，至一程度，在所述程度上重新建立所述初始电流输入或在所述初始电流输入的预定范围内的电流输入。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述从所述丝极去除沉积的材料或在所述丝极上沉积附加的材料包括使清洗气体流动通过所述离子源。

8.根据权利要求6所述的方法，包括将附加的材料沉积在所述丝极上。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述附加的材料包括钨。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，正在产生等离子体。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，没有正在产生等离子体。

12.一种运行在离子源的电弧室中包括丝极的离子植入系统以保持所述离子源的运行效率的方法，所述方法包括使所述丝极在选自由下述组成的组中的条件下与钨试剂进行接触：

(a)实现钨在所述丝极上沉积的条件；以及

(b)实现从所述丝极上侵蚀沉积的材料的条件。

13.一种清洗离子植入系统的一个或多个部件用于从所述一个或多个部件上至少部分地去除与电离作用有关的沉积物的方法，所述方法包括使清洗气体在选自由下述组成的组中的条件下流动通过所述系统：

(a)实现材料在所述丝极上沉积的条件；以及

(b)实现从所述丝极上侵蚀沉积的材料的条件。

14.根据权利要求13所述的方法，包括实现将材料沉积在所述丝极上的条件。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，材料的所述沉积包括钨的沉积。

16.根据权利要求13所述的方法，包括实现从所述丝极上侵蚀沉积的材料的条件。