[发明专利]SOI基板的制造方法

权利要求书

1.一种制造SOI基板的方法，所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜，所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上，而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的，所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面，

所述方法至少包括下述工序：

制备所述透明绝缘性基板的工序，作为所述透明绝缘性基板，所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm，并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度；以及

在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。

2.如权利要求1所述的制造SOI基板的方法，其中，所述制备透明绝缘性基板的工序至少包括：

对所述第一主表面和所述第二主表面进行双面研磨加工和蚀刻处理；然后

只对所述第一主表面进行单面磨光加工。

3.如权利要求2所述的制造SOI基板的方法，所述方法包括在对所述透明绝缘性基板的第一主表面和第二主表面进行双面研磨加工和蚀刻处理之后，在只对所述第一主表面进行所述单面磨光加工之前，将所述透明绝缘性基板进行退火处理。

4.如权利要求1-3中的任一项所述的制造SOI基板的方法，其中，所述形成硅薄膜的工序至少包括：

对硅基板或表面形成有氧化膜的硅基板，从表面注入氢离子和/或稀有气体离子，以形成离子注入层；

将所述硅基板或表面形成有氧化膜的硅基板的离子注入面紧密贴合在所述透明绝缘性基板的第一主表面上；以及

沿着所述离子注入层作为边界，将所述硅基板或表面形成有氧化膜的硅基板剥离而发生薄膜化，以在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成所述硅薄膜。

5.如权利要求1-4任一项所述的制造SOI基板的方法，其中，所述透明绝缘性基板为石英基板、玻璃基板和蓝宝石基板中的任一种。

6.如权利要求1所述的制造SOI基板的方法，其中，所述透明绝缘性基板为玻璃基板，所述制备透明绝缘性基板的工序至少包括：对所述玻璃基板的第一主表面和第二主表面进行喷砂处理，清洗所述玻璃基板的处理面，所述清洗作用至少包括对所述处理面进行HF清洗后再进行碱清洗。

7.如权利要求6所述的制造SOI基板的方法，其中，所述玻璃基板为石英玻璃基板。

8.如权利要求6和7中的任一项所述的制造SOI基板的方法，其中，用于所述碱清洗的碱溶液为NH₄OH、NaOH、KOH和CsOH中的任一种，或为添加有H₂O₂的上述任一种溶液。

9.如权利要求6和7中的任一项所述的制造SOI基板的方法，其中，用于所述碱清洗的碱溶液为SC1溶液，按照体积组成比，所述SC1溶液至少含有：当H₂O为10份时，以29wt％的水溶液计NH₄OH为0.5-2份、以30wt％的水溶液计H₂O₂为0.01-0.5份。

10.如权利要求6和7中的任一项所述的制造SOI基板的方法，其中，用于所述碱清洗的碱溶液为碱性有机溶剂。

11.如权利要求6-10中的任一项所述的制造SOI基板的方法，其中，所述HF清洗的工序包括对所述经过喷砂处理的玻璃基板的处理面进行20nm以上的蚀刻。