[发明专利]AlxGa(1-x)As衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法

权利要求书

1.一种具有Al_xGa_(1-x)As层(0≤x≤1)的Al_xGa_(1-x)As衬底，所述Al_xGa_(1-x)As层具有主面和在所述主面相反侧的背面；所述Al_xGa_(1-x)As衬底的特征在于，

在所述Al_xGa_(1-x)As层中，所述背面中Al的组成比x大于所述主面中Al的组成比x。

2.如权利要求1所述的Al_xGa_(1-x)As衬底，其中：

所述Al_xGa_(1-x)As层含有多个层；以及

在从所述Al_xGa_(1-x)As层的背面侧的平面朝向其主面侧的平面的方向上，在所述多个层的各个层中Al的组成比x单调下降。

3.如权利要求1或2所述的Al_xGa_(1-x)As衬底，其中：设在所述Al_xGa_(1-x)As层厚度方向上的两个不同点的Al的组成比x之差为ΔAl，并设所述两点之间的厚度差(μm)为Δt，则ΔAl/Δt大于0/μm。

4.如权利要求3所述的Al_xGa_(1-x)As衬底，其中ΔAl/Δt不大于6×10^-2/μm。

5.如权利要求1～4中任一项所述的Al_xGa_(1-x)As衬底，其中在所述Al_xGa_(1-x)As层的所述背面中Al的组成比x不小于0.12。

6.如权利要求1～5中任一项所述的Al_xGa_(1-x)As衬底，还包含与所述Al_xGa_(1-x)As层的所述背面接触的GaAs衬底。

7.一种红外LED用外延晶片，所述晶片包含：

权利要求1～5中任一项的Al_xGa_(1-x)As衬底；和

在所述Al_xGa_(1-x)As层的所述主面上形成的且包含有源层的外延层。

8.如权利要求7所述的红外LED用外延晶片，其中在所述外延层的与所述Al_xGa_(1-x)As层接触的平面中Al的组成比x大于在所述Al_xGa_(1-x)As层的与所述外延层接触的平面中Al的组成比x。

9.如权利要求8所述的红外LED用外延晶片，其中：

所述外延层还包含具有与所述Al_xGa_(1-x)As层接触的平面的缓冲层；且

所述缓冲层中Al的组成比x小于所述有源层中Al的组成比x。

10.如权利要求7所述的红外LED用外延晶片，其中：

所述外延层还包含具有与所述Al_xGa_(1-x)As层接触的平面的缓冲层；且

所述缓冲层中Al的组成比x小于所述Al_xGa_(1-x)As层的与所述外延层接触的平面中Al的组成比x，且小于所述有源层中Al的组成比x。

11.如权利要求7～10中任一项所述的红外LED用外延晶片，其中在所述Al_xGa_(1-x)As层与所述外延层之间的界面处氧的峰值浓度不大于5×10²⁰个原子/cm³。

12.如权利要求7～11中任一项所述的红外LED用外延晶片，其中在所述Al_xGa_(1-x)As层与所述外延层之间的界面处氧的面密度不大于2.5×10¹⁵个原子/cm²。