[发明专利]确定电感操作的元件中退化的绝缘能力无效
申请号: | 200980111750.3 | 申请日: | 2009-03-25 |
公开(公告)号: | CN102016613A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | U·加弗特 | 申请(专利权)人: | ABB研究有限公司 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;庞淑敏 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 确定 电感 操作 元件 退化 绝缘 能力 | ||
1.一种用于确定在电感操作的元件(16)的导体(18)周围提供的绝缘体的绝缘能力改变的方法,所述导体被缠绕多匝(38)且由提供一个或者多个谐振的模型来表征,所述方法包括以下步骤:
-向所述电感操作的元件的所述导体施加(54)改变频率的信号,所述信号是在覆盖所述导体的所述谐振频率中的一个或者多个的高频频谱中提供的,
-从所述导体接收(56)对所述信号的频率响应(52),
-比较(58)所述接收的频率响应(52)与参考频率响应(50),以及
-基于所述比较来确定(60)绝缘能力改变,
其中所述比较所述频率响应与参考频率响应的步骤包括比较所述接收的频率响应(52)中的波峰(P1’)与所述参考频率响应(50)中的对应波峰(P1),以及所述确定绝缘能力改变的步骤包括基于所述波峰之间的形状差异来确定绝缘能力改变,其中两个波峰均对应于所述缠绕的导体的谐振频率。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述接收的频率响应的所述波峰中的峰值比所述参考频率响应的所述对应波峰中的峰值更低表明退化的绝缘能力。
3.根据权利要求1或者2所述的方法,其中针对所述接收的频率响应中的所述波峰的峰值的给定部分的宽度相对于所述参考频率响应中的所述对应波峰的峰值的相同部分的宽度而言更大表明退化的绝缘能力。
4.根据任一前述权利要求所述的方法,其中通过比较所述接收的频率响应(52)中的多于一个波峰(P1’,P2’)与所述参考频率响应(50)中的对应波峰(P1,P2)来确定所述改变,其中频率响应中被比较的这样的各波峰对应于不同谐振频率。
5.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述施加步骤包括向所述导体的馈送端子(22)施加所述改变频率的信号,以及所述接收步骤包括从所述导体的馈送端子(24)接收所述响应。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述接收步骤包括从所述导体的另一馈送端子(24)接收所述响应。
7.根据权利要求5所述的方法,其中所述接收步骤包括从所述导体的相同馈送端子接收所述响应。
8.根据权利要求1-4中的任一权利要求所述的方法,其中所述施加步骤包括向所述电感操作的元件的提供与所述导体的连通性的套管抽头(30)施加所述改变频率的信号,以及所述接收步骤包括从所述电感操作的元件的相同套管抽头接收所述响应。
9.根据任一前述权利要求所述的方法,其中由所述改变频率的信号所覆盖的频率范围在10kHz与10MHz之间。
10.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述电感操作的元件为变压器(16),以及所述导体为这一变压器的绕组(18)。
11.一种用于确定在电感操作的元件(16)的导体(18)周围提供的绝缘体的绝缘能力改变的设备(10),所述导体被缠绕多匝(38)且由提供一个或者多个谐振的模型来表征,所述设备包括:
-信号生成单元(12),被布置成向所述电感操作的元件的所述导体施加改变频率的信号,所述信号是在覆盖所述导体的所述谐振频率中的一个或者多个的高频频谱中提供的,
-分析单元(14),被布置成:
-从所述导体接收对所述信号的频率响应(52),
-比较所述接收的频率响应(52)与参考频率响应(50),
以及
-基于所述比较来确定绝缘能力改变,
其中所述分析单元(14)在被布置成比较所述频率响应与参考频率响应时被布置成比较所述接收的频率响应(52)中的波峰(P1’)与所述参考频率响应(50)中的对应波峰(P1),以及在被布置成确定绝缘能力改变时被布置成基于所述波峰之间的形状差异来确定绝缘能力改变,其中两个波峰均对应于所述缠绕的导体的谐振频率。
12.根据权利要求11所述的设备(10),其中所述接收的频率响应的所述波峰中的峰值比所述参考频率响应的所述对应波峰中的峰值更低表明退化的绝缘能力。
13.根据权利要求11或者12所述的设备(10),其中针对所述接收的频率响应中的所述波峰的峰值的给定部分的宽度相对于所述参考频率响应中的所述对应波峰的峰值的相同部分的宽度而言更大表明退化的绝缘能力。
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