[发明专利]制备含硅陶瓷结构的方法

权利要求书

1.制备含硅陶瓷结构(3)的方法，其中，在基材(2)的表面上提供陶瓷前体聚合物结构(1)，其中，所述陶瓷前体聚合物选自聚硅氧烷、聚碳硅烷、聚硅氮烷和/或聚脲硅氮烷，并且其中所述陶瓷前体结构(1)在基材(2)上被陶瓷化，其特征在于，所述陶瓷前体聚合物结构(1)的高度为≤20μm，并且垂直于其纵轴(a，a′)的宽度为≤500μm。

2.根据权利要求1的方法，其中，所述陶瓷前体聚合物还含有可横向交联的官能团，其选自乙烯基官能团和/或烯丙基官能团。

3.根据权利要求1或2的方法，其中，所述陶瓷前体聚合物含有添加剂，其选自能导电的颗粒、碳、无定形碳、石墨、富勒烯和/或碳纳米管。

4.根据权利要求1至3之一的方法，其中，所述陶瓷前体聚合物结构(1)的宽度与高度之比为≥1∶1至≤25∶1。

5.根据权利要求1至4之一的方法，其中，所述陶瓷前体聚合物结构(1)由选自热压法、丝网印刷法和/或照相平版印刷法的方法产生。

6.根据权利要求5的方法，其中，通过照相平版印刷法产生陶瓷前体聚合物结构(1)，包括以下步骤：

a)提供含有≥90质量％至≤99.9质量％的陶瓷前体聚合物和≥0.1质量％至≤10质量％的自由基光引发剂的混合物；

b)用所得的混合物涂覆基材；

c)在使用光掩膜情况下，用紫外线曝光涂覆的基材表面，并用有机溶剂洗涤曝光的基材表面；

d)将所得到的带有陶瓷前体聚合物结构的基材加热到≥850℃至≤1200℃的温度，加热速率为≥100℃/h至≤150℃/h；

e)以≥250℃/h至≤350℃/h的冷却速率进行冷却。

7.可通过根据权利要求1至6之一的方法获得的含硅陶瓷结构(3)。

8.根据权利要求7的含硅陶瓷结构(3)，其高度≤20μm并且垂直于其纵轴的宽度≤500μm。

9.根据权利要求7或8的含硅陶瓷结构(3)，其中，所述结构的电阻为≥10^-3Ωcm至≤10¹³Ωcm。

10.含有根据权利要求7至9之一的含硅陶瓷结构(3)的传感器。