[发明专利]光学半导体装置用封装和使用了该封装的光学半导体装置、以及它们的制造方法

权利要求书

1.一种光学半导体装置用封装，其特征在于，

具有外罩、引线电极和端子电极，并且所述引线电极的至少一部分表面上形成了由多个镀层构成的镀层层叠体，

所述镀层层叠体包含：

纯Ag镀层；

薄膜式反射镀层，比所述纯Ag镀层更薄，作为最上层；和

耐受性镀层，由对金属氯化物或金属硫化物的至少某一种具有化学耐受性的完全固溶体Au-Ag合金镀层构成，作为中间层。

2.如权利要求1所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

所述Au-Ag合金镀层含有Au作为其主要成分，并且Ag的含量为27.0wt％以上50.0wt％以下。

3.如权利要求1或2中任一项所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

所述耐受性镀层的层厚度为0.05μm以上0.3μm以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

所述反射镀层是由纯Ag构成的薄膜。

5.如权利要求1～4中任一项所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

所述反射镀层的厚度为0.003μm以上0.010μm以下。

6.如权利要求1～5中任一项所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

所述纯Ag镀层的层厚度为1.6μm以上8.0μm以下。

7.如权利要求1～6中任一项所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

所述纯Ag镀层的光泽度在1.2以上。

8.如权利要求1～7中任一项所述的光学半导体装置用封装，其特征在于，

还在与密封树脂相接触的外罩的至少一部分表面上配设有所述镀层层叠体。

9.一种光学半导体装置，其特征在于，

该光学半导体装置是发光元件以与引线电极电气式连接的方式配设，并以将所述发光元件和引线电极密封起来的方式配设有密封树脂而构成的，

所述引线电极的反射率在所述发光元件的发光波长为400nm的情况下达到50％以上，在所述发光元件的发光波长为450nm的情况下达到80％以上，在所述发光元件的500nm至700nm发光波长区域内达到85％以上。

10.一种光学半导体装置，其特征在于，

该光学半导体装置是发光元件电气式连接到如权利要求1～8中的任一项所述的光学半导体装置用封装的引线电极，并以将所述发光元件和引线电极密封起来的方式配设有密封树脂而构成的，

所述镀层层叠体至少配设在配设有发光元件的引线电极的表面区域，

所述引线电极的反射率在所述发光元件的发光波长为400nm的情况下达到50％以上，在所述发光元件的发光波长为450nm的情况下达到80％以上，在所述发光元件的500nm至700nm发光波长区域内达到85％以上。

11.如权利要求9或权利要求10中的任一项所述的光学半导体装置，其特征在于，

所述密封树脂是含金属氯化物催化剂的透光性树脂。

12.如权利要求11所述的光学半导体装置，其特征在于，

所述透光性树脂是硅树脂。

13.如权利要求9～12中任一项所述的光学半导体装置，其特征在于，

所述金属氯化物催化剂是氯化铂酸盐。

14.一种光学半导体装置用封装的制造方法，其特征在于，

该制造方法历经在光学半导体装置用封装的引线电极表面上形成多个镀层层叠体的镀层工序，

该镀层工序包括以下步骤：

第一镀层步骤，形成纯Ag镀层；

第二镀层步骤，在所述纯Ag镀层上形成Au-Ag合金镀层；和

第三镀层步骤，在所述Au-Ag合金镀层上形成纯Ag闪镀层作为最上层，

在镀层工序之后历经加热步骤，在所述镀层层叠体上实施加热处理，形成完全固溶体。

15.如权利要求14所述的光学半导体装置用封装的制造方法，其特征在于，

在所述加热步骤中，在大气、氮气环境气体、绿色气体环境气体之中的任一种气体中进行300℃～360℃范围内的加热处理

16.一种光学半导体装置的制造方法，其特征在于，

将发光元件电气连接到光学半导体装置用封装的引线电极上，并在所述发光元件和引线电极上附着密封树脂从而将它们密封起来，

使用由权利要求14或15中的任一项所述的制造方法制造而成的光学半导体装置用封装，

利用由硅树脂构成的密封树脂对所述半导体装置用封装之中形成有所述镀层层叠体的区域进行密封。