[发明专利]用于显示器的背景照明的照明设备以及具有这样的照明设备的显示器无效
申请号: | 200980111891.5 | 申请日: | 2009-01-16 |
公开(公告)号: | CN102099733A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | B·韦斯曼;M·蔡勒;H·布伦纳;H·奥特;L·普勒茨;J·斯特劳斯 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | G02F1/13357 | 分类号: | G02F1/13357 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;李家麟 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 显示器 背景 照明 照明设备 以及 具有 这样 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于显示器的背景照明的照明设备以及一种具有这样的照明设备的显示器。
背景技术
例如在文献DE 10 2004 046 696.3中说明了一种用于显示器的照明设备。
发明内容
本发明的任务在于,说明一种改善了的用于显示器的背景照明的照明设备。
该任务通过具有权利要求1的特征的照明设备和通过具有权利要求14的特征的显示器来解决。
这种用于显示器的背景照明的照明设备尤其是包括:
-至少一个半导体本体,所述半导体本体适于生成第一波长范围的电磁射线,
-第一波长转换物质,所述第一波长转换物质在半导体本体的辐射方向上布置在半导体本体的发射射线的前侧的后面并且适于将第一波长范围的射线转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的射线,以及
-第二波长转换物质,所述第二波长转换物质在半导体本体的辐射方向上布置在半导体本体的发射射线的前侧的后面并且适于将第一波长范围的射线转换成与第一和第二波长范围不同的第三波长范围的射线。
所述照明设备包括至少一个半导体本体作为光源。半导体本体例如相对于常规使用的冷阴极荧光灯(CCFL)所提供的优点是,这些半导体本体对振动不敏感以及基本上可自由调光并且实现快速的开关时间。此外,半导体本体与冷阴极荧光灯相比基本上不具有或者只具有非常小份额的有害重金属,所述重金属例如是水银或者铅。
特别优选地,所述半导体本体和两种波长转换物质被布置为使得由半导体本体生成的第一波长范围的射线至少部分地落到第一和第二波长转换物质上,从而第一波长范围的射线被两种波长转换物质转换成第二和第三波长范围的射线。
由半导体本体发出的第一波长范围的射线被第一波长转换物质优选部分地转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的射线并且被第二波长转换物质同样优选部分地转换成与第一和第二波长范围不同的第三波长范围的射线,而第一波长范围的另一部分射线保持未被转换。在这种情况下,所述照明设备发出混合射线,该混合射线具有未经转换的第一波长范围的射线以及经过转换的第二和第三波长范围的射线。
第一和/或第二波长转换物质例如可以包含在波长转换层中。特别优选地,具有第一和/或第二波长转换物质的波长转换层以直接接触的方式施加到半导体本体的发射射线的前侧上。这表示,波长转换层与半导体本体的发射射线的前侧具有共同的界面。如果波长转换层布置在半导体本体的发射射线的前侧上,则该半导体本体相对于照明设备的尺寸来说一般基本上是点状射线源,该点状射线源发出具有优选在CIE标准色度图的白色范围中的特定色点的射线。这样的点状射线源的射线尤其是适于馈入到光学元件中。
此外还有可能的是,包括至少一种波长转换物质、但是优选包括两种波长转换物质的波长转换层被布置在照明设备的另一位置处,使得半导体本体的射线贯穿该波长转换层。该波长转换层例如可以布置在照明设备的盖板的朝向半导体本体的背侧上。所述盖板例如是扩散板。
半导体本体可以安装到部件壳体中。所述部件壳体例如具有凹陷,在该凹陷中固定所述半导体本体。合适的部件壳体例如在文献WO 02/084749A2中描述,该文献的公开内容与此相关地通过引用结合于此。如果半导体本体被安装到部件壳体中,则半导体本体和部件壳体是本身被照明设备包括的光电部件的一部分。
根据照明设备的另一实施例,第一和/或第二波长转换物质被嵌入到基质材料中。基质材料例如可以具有硅和/或树脂或者由这些材料的至少之一构成。
具有至少一种波长转换物质的基质材料可以构造为波长转换层或者浇注体。
根据照明设备的一个实施方式,波长转换层具有20μm至200μm之间的厚度,其中包含这两个边界。
为了制造该波长转换层,具有至少一种波长转换材料的基质材料例如被构造为所述光电部件或者所述照明设备内的层并且然后被硬化。这样的波长转换层优选具有20μm至40μm之间的厚度,其中包含这两个边界。
可替换地,该波长转换层还可以被单独地制造为小板。这样的小板可以或者同样具有其中嵌入有至少一种波长转换物质的颗粒的基质材料,或者例如也被构造为陶瓷。被单独地制造为小板的波长转换层优选具有20μm至200μm之间的厚度,其中包含这两个边界。
根据照明设备的另一实施方式,第一和/或第二波长转换物质被嵌入到浇注体中。所述浇注体例如可以引入到部件壳体的凹陷中。在此,所述浇注体通常包封所述半导体本体。
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