[发明专利]面发光显示装置

说明书

技术领域

本发明主要涉及有机EL面板和液晶面板等薄型显示器。

背景技术

以顶部发光结构的有源方式有机EL显示器为例，其面板单元如图1所示，将形成了有机EL元件的TFT电路基板11与彩色滤光片基板12贴合而成的结构是代表性的。

图2(a)是该TFT电路基板的配线结构的示意图。该TFT电路基板中，存在对排列成1列的各个像素电路24供给电源(电力)的电源线21和将其全部束起来并引出到电源端子23的电源总线22。此外，设置使TFT的凹凸平坦化的树脂，在上面设置连接发光部的接触孔27是通例。标记25表示数据信号线，标记26表示栅极信号线。

图2(b)是仅抽出该电源周边的配线的示意图。TFT电路基板内的电源线，不是整面配线或网格状，而是常用这样1个方向上延伸的结构。这是为了通过增加电源线横切信号线的面积而增大配线间电容、防止驱动变慢的目的。此外，也有在像素较小的情况下，略微增加晶体管面积的理由。标记16表示IC(控制电路)的配置位置。

像素电路的代表性结构在图3A中表示。这主要是液晶中使用的TFT电路，但是当然也能够用于有机EL的驱动。该情况下的TFT侧电源线是阴极，所有像素的上部透明共用电极是阳极。标记31表示有机EL元件，32、33表示TFT，34表示电容器，35表示源极信号线，36表示栅极信号线。

图3B是表示现有的TFT电路基板的像素电路24的配线结构的一个例子的示意图。此处，表示构成现有的TFT电路基板的像素电路24的主要的晶体管的配线结构。

图3B的配线结构中，形成栅极配线图案55作为第一层金属配线图案，并且，在该栅极配线图案55上隔着绝缘层和Si层29分别形成源极配线图案56、漏极配线图案57和上述电源线21作为第二层金属配线图案。

栅极控制用元件区域58，以与栅极配线图案55相邻的方式设置。在该栅极控制用元件区域58，设置如图3A所示的TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)33和电容器34，并且连接有作为第二层金属配线图案的数据信号线(源极信号线)25和作为第一层金属配线图案的扫描信号线(栅极信号线)26。

源极配线图案56，设置为形成图3A所示的TFT32的源极的配线。该源极配线图案56的基端部连接到电源线21，并且前端部以梳齿状分支，由此形成与电源线21平行的分支部56a、56b。

另一方面，漏极配线图案57，设置为形成上述TFT32的漏极的配线。该漏极配线图案57的基端部通过接触孔27与发光部连接，具有从该基端部在上述源极配线图案56的分支部56a、56b之间延伸的分支部57a，和从该基端部在上述分支部56b与电源线21之间延伸的分支部57b。即，该漏极配线图案57，具有与源极配线图案56的梳齿状的分支部咬合的梳齿状的分支部。

接着，关于图1的面板的像素部，例如是沿图4A(a)的线AA和线BB的图4B(b)和图4C(c)一般的截面结构。首先，在玻璃基板上，存在TFT结构及其平坦化树脂40。根据需要对其用无机的钝化膜覆盖。在其上敷设使密合性变好的基底层41后，形成反射电极42。在其上形成在发光部具有开口的绝缘膜43后，蒸镀多个有机膜44，在其上使透明电极层45成膜。此处称为上部透明电极层，但可以是IZO、ITO等氧化物的透明层，也可以是半反射镜状的几nm～十几nm的金属膜。该透明电极层45，例如，如图5A(a)和图5B(b)所示，用所有像素共用的整面配线53，在面板外周部连接到与上述不同的电源总线51，引出到端子52。然后，最后用阻隔层46覆盖像素部整面。

另一方面，彩色滤光片基板一侧，在玻璃基板上形成黑矩阵47、彩色滤光片48，进而根据需要形成隔离壁39和颜色变换层49。当然，也有不使用隔离壁和颜色变换层的方式。进而，也可以根据需要设置间隔物50。

然后，将TFT电路基板与彩色滤光片基板以像素相合的方式定位并贴合。一般使用粘合剂等固体作为间隙层，但也有液体和气体的情况。