[发明专利]退火装置无效
| 申请号： | 200980112004.6 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101983416A | 公开（公告）日： | 2011-03-02 |
| 发明（设计）人： | 河西繁;铃木智博 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 退火 装置 | ||
1.一种退火装置，其特征在于，具有：
收容被处理体的处理室；
按照面对所述处理室内被收容的被处理体的至少一侧的表面的方式设置的具有对被处理体照射光的多个发光元件的加热源；
向所述加热源的发光元件供电的电源部；
控制从所述电源部向所述发光元件供电的供电控制部；
对应于所述加热源而设置的透过来自所述发光元件的光的光透过部件；和排出所述处理室内的气体的排气机构，其中
所述供电控制部对所述发光元件进行直流驱动。
2.如权利要求1所述的退火装置，其特征在于，还具有：
支撑所述光透过部件的所述处理室和其反向侧、含有冷却所述加热源的高热传导性材料的冷却部件和通过制冷剂冷却所述冷却部件的冷却结构。
3.如权利要求2所述的退火装置，其特征在于：
所述加热源具有由在表面支撑所述多个发光元件的含有高热传导性绝缘材料的支撑体，接合在所述支撑体的里面侧的含有高热传导性材料的热扩散部件和贯穿所述热扩散部件和所述支撑体设置的用于向所述发光元件供电的供电电极构成为单元的多个发光元件阵列，其中，所述发光元件阵列安装在所述冷却部件上。
4.如权利要求3所述的退火装置，其特征在于：
所述冷却部件和所述热扩散部件是由铜形成，所述支撑体由AlN形成。
5.如权利要求2所述的退火装置，其特征在于：
在所述冷却部件和所述光透过部件之间具有空间，在所述空间设置有所述加热源。
6.如权利要求1所述的退火装置，其特征在于：
所述发光元件是LED。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
