[发明专利]密封腔体的方法

权利要求书

1.一种形成器件的方法，该器件具有：基板，其上沉积有或多层，该器件具有腔体，其嵌入该基板和该一或多层之间；以及第一通道，其延伸至该腔体，该方法包括下列步骤：

从一或多个基板和该一或多层移除材料，及在该第一通道中重新沉积上述移除的材料，以密封该第一通道。

2.如权利要求1所述的方法，还包含下列步骤：

沉积至少一层牺牲层在基板上；

移除该至少一层牺牲层的一部分，以界定欲形成的该腔体和至少一个通道的形状；

沉积至少一层封装层在该至少一层牺牲层上；

移除该至少一层封装层的一部分，以曝露该至少一层牺牲层的一部分；及

移除该至少一层牺牲层，以形成穿过该至少一层封装层的该腔体和第一通道。

3.如权利要求2所述的方法，还包括沉积封盖层在该至少一层封装层和重新沉积的材料上。

4.如权利要求2所述的方法，其中原位执行所述沉积该封盖层的步骤和所述重新沉积的步骤。

5.如权利要求2所述的方法，还包含下列步骤：

移除该封装层的一部分，以曝露该至少一层牺牲层的一部分；及

移除该至少一层牺牲层，以形成穿过该封装层的该腔体和第二通道。

6.如权利要求5所述的方法，还包含从该基板移除材料，及在该第二通道中重新沉积移除的材料，以密封该第二通道，其中所述在该第一通道中重新沉积移除的材料的步骤与在该第二通道中重新沉积移除的材料的步骤实质上同时发生。

7.如权利要求6所述的方法，其中该基板上沉积有第一材料，及其中所述移除和重新沉积的步骤包括溅射蚀刻该第一材料和在该第一通道中重新沉积该第一材料以密封该第一通道。

8.一种用以形成器件的方法，包含下列步骤：

沉积至少一层牺牲层在基板上；

移除该至少一层牺牲层的一部分，以界定欲形成的腔体和至少一个通道的形状；

沉积封装层在该至少一层牺牲层上；

沉积第二层于该第一封装层上；

移除该封装层的一部分，以暴露延伸穿过该封装层的一侧的该至少一层牺牲层的一部分；

移除该至少一层牺牲层，以形成穿过该封装层的该腔体和第一通道；及

从该第二层和该基板的至少一者移除材料，及在该在第一通道中重新沉积移除的材料，以密封该第一通道。

9.如权利要求8所述的方法，还包括沉积封盖层在所述重新沉积的材料上。

10.如权利要求9所述的方法，其中原位执行所述沉积该封盖层的步骤和所述重新沉积的步骤。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述从该第二层和该基板的至少一者移除材料的步骤，及所述重新沉积移除的材料的步骤，包含溅射蚀刻的步骤。

12.如权利要求8所述的方法，还包含下列步骤：

移除该封装层的一部分，以暴露该至少一层牺牲层的一部分，其穿过该封装层的至少第二侧；及

移除该至少一层牺牲层，以形成穿过该封装层的该腔体和第二通道。

13.如权利要求12所述的方法，还包含从该基板和该第二层的一或多者移除材料，及在该第二通道中重新沉积移除的材料，以密封该第二通道，其中所述在该第一通道中重新沉积移除的材料的步骤与在该第二通道中重新沉积移除的材料的步骤实质上同时发生。

14.如权利要求8所述的方法，其中该基板上沉积有第一材料，及其中所述从该第二层和该基板的至少一者移除材料的步骤以及重新沉积移除的材料的步骤，包括溅射蚀刻该第一材料和在该第一通道中重新沉积该第一材料，以密封该第一通道。