[发明专利]纵型热处理用晶舟及使用此晶舟的硅晶片的热处理方法

权利要求书

1.一种纵型热处理用晶舟，至少具备：二根以上的支柱；一对板状构件，用以连结各支柱的两端部；晶舟主体，其具有多个支撑部，该支撑部用以将被处理基板水平地支撑于所述各支柱上；以及支撑辅助构件，其分别可装卸地装设在所述多个支撑部上，所述被处理基板则要被载置于其上；该纵型热处理用晶舟的特征在于：

所述支撑辅助构件，具有：导引构件，其要被装设在所述支撑部上；以及基板支撑构件，其通过该导引构件而被安置，所述被处理基板则要被载置于该基板支撑构件上；

所述导引构件，在其顶面形成孔；

所述基板支撑构件，要被插嵌于所述导引构件的孔中而被安置；当所述支撑辅助构件被装设在晶舟主体的支撑部上的时候，所述被处理基板要被载置的面的高度位置，比所述导引构件的顶面的高度位置更高；

所述基板支撑构件，由碳化硅、硅、施行碳化硅的化学气相沉积被覆后的碳化硅、施行碳化硅的化学气相沉积被覆后的硅、或施行碳化硅的化学气相沉积被覆后的碳的任一种所构成；

所述导引构件，由石英、施行氧化硅膜处理后的碳化硅、施行氮化硅膜处理后的碳化硅、施行氮氧化硅膜处理后的碳化硅、施行氧化硅膜处理后的硅、施行氮化硅膜处理后的硅、或施行氮氧化硅膜处理后的硅的任一种所构成。

2.如权利要求1所述的纵型热处理用晶舟，其中，所述晶舟主体，由石英、施行氧化硅膜处理后的碳化硅、施行氮化硅膜处理后的碳化硅、施行氮氧化硅膜处理后的碳化硅、施行氧化硅膜处理后的硅、施行氮化硅膜处理后的硅、或施行氮氧化硅膜处理后的硅的任一种所构成。

3.如权利要求1或2所述的纵型热处理用晶舟，其中，所述基板支撑构件的被处理基板要被载置的面的高度位置，与所述导引构件的顶面的高度位置之差，是0.05～1.0mm。

4.一种硅晶片的热处理方法，其特征在于：

是使用权利要求1～3中任一项所述的纵型热处理用晶舟，来对硅晶片进行热处理的方法，其中将所述支撑辅助构件分别装设在所述多个支撑部上，并将硅晶片载置在该支撑辅助构件的基板支撑构件上，来进行热处理。

5.如权利要求4所述的硅晶片的热处理方法，其中，所述硅晶片的热处理，以1100～1350℃的温度来进行。