[发明专利]具有整合的均流器并具有改善的传导性的下部内衬件无效
申请号: | 200980112419.3 | 申请日: | 2009-04-06 |
公开(公告)号: | CN101990789A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·D·卡达希;安德鲁·源;阿吉特·巴拉克利斯纳;迈克尔·C·库特内 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H05H1/34 | 分类号: | H05H1/34;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷;南霆 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 整合 均流器 改善 传导性 下部 内衬 | ||
1.一种用于等离子体处理的设备,其包含:
室主体;
第一室内衬件,其布置在所述室主体内;以及
第二室内衬件,其布置在所述室主体内,位于所述第一室内衬件下方,并电耦合至所述第一室内衬件;
其中,所述第二室内衬件具有形成为通过所述第二内衬件的孔,并相对所述室主体的底表面位于升高的位置,使得在所述第二室内衬件与所述室主体的所述底表面之间界定环形气室。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第二室内衬件包含:底部壁;内侧壁,其从所述底部壁向上延伸;以及外侧壁,其从所述底部壁向上且向外倾斜延伸,其中,在所述第二室内衬件的所述底部壁与所述室主体的所述底表面之间界定所述环形气室的第一部分,并且其中,在所述第二室内衬件的所述外侧壁与所述室主体的壁之间界定所述环形气室的第二部分。
3.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第二室内衬件具有多个通过所述第二室内衬件的孔,其中,在所述第二室内衬件的各四分之一圆中存在孔。
4.根据权利要求3所述的设备,其中,在所述第二室内衬件的第一四分之一圆中比在相对的四分之一圆中存在更少的孔。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述第二室内衬件的所述第一四分之一圆位于与所述室主体内的排气端口相邻的位置。
6.根据权利要求3所述的设备,其中,在所述第二室内衬件的第一四分之一圆中比在相对的四分之一圆中存在更小的孔。
7.根据权利要求6所述的设备,其中,所述第二室内衬件的所述第一四分之一圆位于与所述室主体内的排气端口相邻的位置。
8.一种用于等离子体室的环形室内衬件,其包含:
底部壁;
内侧壁,其从所述底部壁向上延伸;以及
外侧壁,其从所述底部壁向上且向外延伸;
其中,所述环形室内衬件具有延伸通过所述底部壁及外侧壁的多个缝隙,且其中,所述多个缝隙被配置成使得在所述环形室内衬件的各四分之一圆内均存在至少一个缝隙。
9.根据权利要求8所述的环形室内衬件,其中,所述环形室内衬件的一个四分之一圆比其它三个四分之一圆具有更少的缝隙。
10.根据权利要求8所述的环形室内衬件,其中,所述环形室内衬件的一个四分之一圆比其它三个四分之一圆具有更多数量的缝隙。
11.根据权利要求8所述的环形室内衬件,其中,所述环形室内衬件的一个四分之一圆比其它三个四分之一圆具有更大的缝隙。
12.根据权利要求8所述的环形室内衬件,其中,所述环形室内衬件的一个四分之一圆比其它三个四分之一圆具有更小的缝隙。
13.一种蚀刻设备,其包含:
室主体;
衬底支撑基座,其被布置在所述室主体中;
气体引入喷气头,其被布置在所述室中并与所述衬底支撑基座相对;
上部室内衬件,其被布置在所述室主体中,使得所述衬底支撑基座、所述气体引入喷气头、及所述第一室内衬件至少部分地围绕处理区域;
环形挡板,其耦合至所述衬底支撑基座并围绕所述衬底支撑基座;以及
下部室内衬件,其包含:
底部壁;
内侧壁,其被配置在所述环形挡板下方并围绕所述衬底支撑基座;以及
外侧壁,其从所述底部壁向上且向外倾斜延伸;
其中,所述下部室内衬件具有形成为通过所述下部室内衬件的缝隙,并被布置在所述室主体内,使得在所述下部室内衬件的所述底部壁和所述外侧壁与所述室主体的底部和外侧壁之间界定环形气室,其中,所述环形气室与排气端口流体连通。
14.根据权利要求13所述的设备,其中,所述下部室内衬件具有一系列延伸通过所述下部室内衬件的缝隙,并且其中,所述下部室内衬件的一个四分之一圆比相对的四分之一圆具有更少的缝隙。
15.根据权利要求13所述的设备,其中,所述下部室内衬件具有一系列延伸通过所述下部室内衬件的缝隙,并且其中,所述下部室内衬件的一个四分之一圆比相对的四分之一圆具有更大的缝隙。
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