[发明专利]嵌段共聚物组合物、其制备方法及薄膜有效

专利信息
申请号: 200980112539.3 申请日: 2009-03-30
公开(公告)号: CN101981121A 公开(公告)日: 2011-02-23
发明(设计)人: 大石刚史;小田亮二 申请(专利权)人: 日本瑞翁株式会社
主分类号: C08L53/02 分类号: C08L53/02;C08J5/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 吴娟;李连涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 共聚物 组合 制备 方法 薄膜
【权利要求书】:

1.嵌段共聚物组合物,所述组合物是含有以下列通式(A)所表示的嵌段共聚物A和以下列通式(B)所表示的嵌段共聚物B而形成的,其中嵌段共聚物A与嵌段共聚物B的重量比(A/B)为36/64~85/15,相对于嵌段共聚物组合物的全部聚合物成分,芳族乙烯基单体单元所占的比例为27~70重量%:

Ar1a-Da-Ar2a(A)

Ar1b-Db-Ar2b(B)

在通式(A)和(B)中,Ar1a、Ar1b及Ar2b分别是重均分子量为6,000~18,000的芳族乙烯基聚合物嵌段,Ar2a是重均分子量为40,000~400,000的芳族乙烯基聚合物嵌段,Da是乙烯基键含量为1~20%摩尔的共轭二烯聚合物嵌段,Db是乙烯基键含量为1~20%摩尔、重均分子量为60,000~400,000的共轭二烯聚合物嵌段。

2.薄膜,所述薄膜是使权利要求1的嵌段共聚物组合物成型而形成的。

3.权利要求1的嵌段共聚物组合物的制备方法,所述制备方法包含下列(1)~(5)的工序:

(1)在溶剂中使用聚合引发剂聚合芳族乙烯基单体的工序,

(2)向含有通过上述(1)的工序制得的具有活性末端的芳族乙烯基聚合物的溶液中添加共轭二烯单体的工序,

(3)向含有通过上述(2)的工序制得的具有活性末端的芳族乙烯基-共轭二烯嵌段共聚物的溶液中,相对于所述活性末端,以官能团不足1摩尔当量的量添加2官能性偶联剂,形成嵌段共聚物B的工序,

(4)向通过上述(3)的工序制得的溶液中添加芳族乙烯基单体,形成嵌段共聚物A的工序,

(5)从通过上述(4)的工序制得的溶液中回收嵌段共聚物组合物的工序。

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