[发明专利]包含用于高温量测的加热源反射滤光器的设备

权利要求书

1.一种处理基板的系统，包含：

热源，所述热源提供第一波长范围的辐射；

高温计，所述高温计通过侦测在所述第一波长范围中的第二波长范围的辐 射而测量基板的温度，所述基板位于腔室的处理区内；及

窗，所述窗将所述热源与所述基板隔离，所述窗用对于所述第一波长范围 的辐射为透明的材料制成，并且所述窗具有单一反射涂层，所述单一反射涂层 覆盖在所述热源与所述基板之间的全部表面，所述全部表面仅选自所述窗朝向 所述热源的一侧，所述反射涂层反射所述第二波长范围的辐射，其中所述窗有 效地防止所述第二波长范围的辐射透射至所述高温计，并且其中所述第一波长 范围为400-4000nm，且所述第二波长范围为700-1000nm，且其中具有所述 反射涂层的所述窗有效防止所述热源所发出的所述第二波长范围的辐射透射 温度低于400℃的基板，并且其中所述反射涂层在所述第二波长范围中的光反 射对光透射的透射比的比值至少为1000。

2.如权利要求1所述的系统，其中所述窗位于所述腔室中以防止所述第 二波长范围的辐射到达所述高温计。

3.如权利要求2所述的系统，其中所述反射涂层有效地防止所述第二波 长范围的辐射进入所述处理区。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述热源包含灯，且所述窗包含围绕 着辐射源的灯罩。

5.如权利要求所述的系统，其中所述窗包括吸收剂材料，所述吸收剂 材料包含液体。

6.如权利要求1所述的系统，还包含第二热源和第二窗，其中所述第二 窗隔离所述第二热源与所述基板，且所述第二窗采用对于所述第二热源产生的 第一波长范围的辐射为透明的材料制成，且所述第二窗具有反射层，所述反射 层覆盖所述第二窗的介于所述第二热源及所述基板之间的全部表面，其中所述 反射层反射由所述第二热源产生的所述第一波长范围中的第二波长范围的辐 射。

7.一种处理基板的系统，包含：

热源，所述热源提供第一波长范围的辐射；

处理区，所述处理区用于容纳所述基板；

所述处理区的第一腔壁，所述第一腔壁是分隔所述热源和所述基板的窗， 所述窗面对且平行于所述基板的第一表面；

高温计，所述高温计朝向所述基板的第二表面，该第二表面与第一表面相 对，所述高温计通过侦测在所述第一波长范围中的第二波长范围的辐射而测量 所述基板的温度，所述基板设置在腔室的所述处理区内，其中所述窗是由对于 所述第一波长范围的辐射为透明的材料制成，且所述第一腔壁的第一表面被反 射层完全覆盖，所述反射层反射第二波长范围的辐射，其中所述反射层在所述 第二波长范围中的光反射对光透射的透射比的比值至少为1000；及

所述处理区的第二腔壁，所述第二腔壁平行于所述第一腔壁，且所述第二 腔壁隔离所述处理区与外在环境，其中所述第二腔壁未被所述反射层所覆盖。

8.如权利要求7所述的系统，其中所述窗有效地防止从所述热源所发出 的所述第二波长范围的辐射透射过温度低于400℃的基板，所述基板包含硅且 被所述高温计测量，且所述第二波长范围在700-1000nm间，而且所述反射层 对于所述第二波长范围的光反射对透射的透射比的比值至少为1000。

9.一种测量处理腔室中的晶片的温度的方法，包含：

以辐射源通过窗加热平坦的基板，所述辐射源提供第一波长范围的辐射， 其中所述基板在低于400℃的预设温度范围中对于所述第一波长范围中的第 二波长范围的辐射为透明；

用高温计测量所述腔室内的处理区中的辐射；及

利用在所述窗的表面上的反射涂层将所述辐射源所发出的所述第二波长 范围的辐射反射回到所述辐射源，以防止从所述辐射源所发出的所述第二波长 范围内的热源辐射到达所述高温计，所述窗的所述表面仅选自所述窗朝向所述 辐射源的一侧，并且所述窗用对于所述第一波长范围的辐射为透明的材料以及 所述涂层制成。