[发明专利]8形电感器

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：底衬；布置在底衬上的完全对称的电感器，所述电感器具有至少两个环路，所述环路包括形成轨道的导电材料，所述环路彼此电连接；以及两个端子A和B，两个端子A和B在所述环路内具有中点，所述中点在沿着轨道从A到B的轨道的一半处，其中轨道彼此交叉偶数次，其特征在于，电感器包括第一轴，所述第一轴形成二重对称轴，从而产生垂直于该轴的镜平面，其中，中点投射在二重轴上。

2.一种器件，包括：

-底衬；

-第一端子(A)和第二端子(B)；

-电导体，被布置在第一端子(A)与第二端子(B)之间的底衬上以获得电感器，并且被定形为形成第一环路(1)和第二环路(2)，其中，在第一环路(1)与第二环路(2)之间存在电导体与所述电导体本身的至少第一交叉(CR1)，第一环路(1)和第二环路(2)分别限定第一封闭区域和第二封闭区域，并且，第一环路(1)和第二环路(2)被布置为产生实质上强度相等且方向相反的磁场(H1、H2)以获得由电感器产生的远场的减小，在端子(A、B)和第二环路(2)之间电导体具有与所述电导体本身的第二交叉(CR2)以进一步限定第二封闭区域的边界。

3.根据前述权利要求中任一项权利要求所述的器件，其中，电导体还被定形为形成第三环路(3)和第四环路(4)，在第三环路(3)和第四环路(4)之间存在电导体与所述电导体本身的第三交叉(CR3)，第三环路(3)和第四环路(4)分别限定第三封闭区域和第四封闭区域，并且，第三环路(3)和第四环路(4)被布置为产生实质上强度相等且方向相反的磁场(H3、H4)以至少局部地获得由电感器产生的远场的减小，导体还具有与所述电导体本身的第四交叉(CR4)，所述第四交叉(CR4)将第一环路(1)与第四环路(4)相连接，从而进一步限定第一封闭区域和第四封闭区域的边界。

4.根据权利要求3所述的器件，其中，所有环路(1、2、3、4)被布置为获得非重叠区域，第一环路(1)连接在第四环路(4)和第二环路(2)之间，第四环路(4)连接在第一环路(1)和第三环路(3)之间，以获得与8形结构串联的8形结构。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，第三环路(3)被布置在第一环路(1)内，第四环路(4)被布置在第二环路(2)内，从而形成用于进一步限定第四封闭区域的第五交叉(CR5)，以及形成用于进一步限定第一和第二封闭区域的第六交叉(CR6)，以获得8形在8形内的结构。

6.根据前述权利要求中任一项权利要求所述的器件，包括形成在底衬上的至少第一互连层以及被布置为与第一互连层合作的第二互连层，其中，电导体包括布局在第二互连层中的主部件，第一交叉(CR1)和第二交叉(CR2)各自都包括布局在第一互连层中的另一部件，另一部件与主部件交叉，所述另一部件利用触点或通孔连接至主部件以获得电导体的第一交叉(CR1)和第二交叉(CR2)，其中主部件和另一部件之间的介电层使交叉导体部件相对于彼此电绝缘。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，第一交叉(CR1)和第二交叉(CR2)被构造为使得，在第一端子(A)和中点(MP)之间沿着导体的路径上考虑，一个交叉是上方穿过结构而另一个交叉是下方穿过结构，中点(MP)被限定在导体上与端子(A、B)相距导体长度的二分之一。

8.根据权利要求6所述的器件，其中，交叉(CR1、CR2、CR3、CR4、CR5、CR6)被构造为使得，在第一端子(A)和中点(MP)之间沿着导体的路径上考虑，上方穿过结构的数量与下方穿过结构的数量相等，中点(MP)被限定在导体上与端子(A、B)相距导体长度的二分之一。

9.根据前述权利要求中任一项权利要求所述的器件，其中，电感器是从组中选择出来的电子电路的一部分，所述组包括：RF滤波器、基于LC的电压控制振荡器、基于LC的差分放大器、混频器、Tx放大器、和负载驱动器。

10.根据前述权利要求中任一项权利要求所述的器件，其中，底衬是半导体底衬，以获得半导体器件。

11.一种包括前述权利要求中任一项权利要求所述的器件的电子系统，所述电子系统包括基于LC的电压控制振荡器，所述基于LC的电压控制振荡器包括电感器，所述电子系统是组中的一个，所述组包括：多频道TV接收机、全双工收发机和同带系统。