[发明专利]为小直径、高密度晶片贯通孔裸片堆叠形成对准/对心导引件的方法

说明书

技术领域

本发明大体上涉及半导体装置，且更明确地说，涉及使用晶片贯通孔的可堆叠裸片。

背景技术

微处理器控制的电路用于各种各样的应用中。此些应用包括个人计算机、蜂窝式电话、数字相机、控制系统以及其它消费类产品的主机。个人计算机、数字相机等一般包括为系统处置不同功能的各种组件，例如微处理器。通过组合这些组件，可将各种消费类产品和系统设计成满足特定需要。微处理器本质上是在软件程序的控制下执行特定功能的通用装置。这些软件程序一般存储在耦合到微处理器和/或其它外围设备的一个或一个以上存储器装置中。

例如微处理器和存储器装置等电子组件常常包括制造于半导体衬底上且一起耦合在封装中的众多集成电路。为增加所述电路的密度，所述电路可经垂直堆叠，从而减少电路的“占用面积”。为进一步减少电路的占用面积并改进裸片之间的电连接性，裸片可通过晶片贯通孔(例如，硅贯通孔或TSV)而互连，其中通孔穿过裸片的硅，以提供垂直互连。通过用TSV代替通常位于裸片的边缘上的条带、焊线或其它连接技术，可减小电路的长度和宽度。另外，使用TSV进行互连可消除对裸片之间的插入件的需要。然而，因为TSV必须贯穿电路的整个经堆叠裸片而对准，所以裸片在制造期间的对准可能存在挑战性，尤其是相对于直径小且/或密度较高的TSV来说。

附图说明

图1说明根据本发明实施例的基于处理器的装置的框图；

图2A到图2D说明根据本发明实施例的对准凹座和突起的形成；

图3A到图3B说明根据本发明另一实施例的对准凹座和突起的形成；

图4A到图4C说明根据本发明另一实施例的对准凹座和突起的形成；

图5A到图5B说明根据本发明另一实施例的对准凹座和突起的形成；

图6说明根据本发明另一实施例的对准突起的形成；

图7描绘根据本发明实施例的用于形成对准特征的工艺；

图8描绘根据本发明另一实施例的用于在钝化处理期间形成对准特征的工艺；以及

图9描绘根据本发明另一实施例的用于在钝化处理期间形成对准特征的工艺。

具体实施方式

图1是含有可使用本发明的实施例的集成电路装置的电子系统的框图。由参考标号10概括指示的所述电子装置或系统可为多种类型中的任一者，例如计算机、数字相机、蜂窝式电话、个人备忘记事本等。在典型的基于处理器的装置中，处理器12(例如微处理器)控制系统功能和请求的操作。

依据系统10所执行的功能，各种装置可耦合到处理器12。举例来说，输入装置14可耦合到处理器12以接收来自用户的输入。输入装置14可包含用户接口，且可包括按钮、开关、键盘、光笔、鼠标、数字转换器、语音识别系统或许多其它输入装置中的任一者。音频或视频显示器16也可耦合到处理器12以将信息提供给用户。显示器16可包括(例如)LCD显示器、CRT显示器或LED。另外，系统10可包括电源18，其可包含(例如)电池、电池接受器、交流电源适配器或直流电源适配器。电源18可将电力提供给系统10的一个或一个以上组件。

射频(RF)子系统/基带处理器20可耦合到处理器12，以提供无线通信能力。RF子系统/基带处理器20可包括天线，其耦合到RF接收器且耦合到RF发射器(未图示)。此外，通信端口22可适合于提供电子系统10与外围装置24之间的通信接口。外围装置24可包括笔记型计算机扩展坞(docking station)、扩充坞(expansion bay)或其它外部组件。

处理器12可耦合到各种类型的存储器装置以便利其操作。举例来说，处理器12可连接到存储器26，存储器26可包括易失性存储器、非易失性存储器或两者。存储器26的易失性存储器可包含多种存储器类型，例如静态随机存取存储器(“SRAM”)；动态随机存取存储器(“DRAM”)；第一代、第二代或第三代双数据速率存储器(分别为“DDR1”、“DDR2”或“DDR3”)等。存储器26的非易失性存储器可包含各种类型的存储器，例如电可编程只读存储器(“EPROM”)或快闪存储器。另外，非易失性存储器可包括高容量存储器，例如磁带或磁盘驱动器存储器。