[发明专利]喷墨用扩散剂组合物、使用该组合物的电极及太阳电池的制造方法有效
| 申请号： | 200980112868.8 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101990700A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 森田敏郎;谷津克也 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L31/042 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;倪小敏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 喷墨 扩散 组合 使用 电极 太阳电池 制造 方法 | ||
1.一种喷墨用扩散剂组合物，其含有硅化合物(a)、杂质扩散成分(b)和溶剂(c)，其特征在于：所述溶剂(c)包含沸点为100℃以下的溶剂(c1)和沸点为180～230℃的溶剂(c2)，溶剂(c1)在所有组合物中所占的比例为70～90质量％、溶剂(c2)的比例为1～20质量％。
2.如权利要求1所述的组合物，其中所述硅化合物(a)为烷氧基硅烷的水解生成物。
3.如权利要求1或2所述的组合物，其中所述硅化合物(a)的SiO2换算浓度为2～10质量％。
4.如权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中所述杂质扩散成分(b)含有III族元素的化合物和/或V族元素的化合物。
5.如权利要求1～4中任一项所述的组合物，其进一步含有表面活性剂(d)。
6.如权利要求1～5中任一项所述的组合物，该组合物可形成膜厚的高低差为0.1μm以下的扩散剂组合物层。
7.如权利要求1～6中任一项所述的组合物，其进一步含有致孔剂或胶态二氧化硅。
8.如权利要求7所述的组合物，其中所述致孔剂或胶态二氧化硅的含量为所有固体成分的10质量％以下。
9.一种电极的制造方法，该方法包括：
采用喷墨方式向半导体基板上喷出权利要求1～8中任一项所述的组合物以形成图案的工序；以及
使所述图案中的杂质扩散成分(b)在所述半导体基板上扩散的工序。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述图案的膜厚的高低差为0.1μm以下。
11.一种太阳电池的制造方法，其包括权利要求9或10所述的方法。
12.由权利要求11所述的方法制成的太阳电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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