[发明专利]低漏电流和/或低导通电压的肖特基二极管

权利要求书

1.一种肖特基二极管，包括：

电子施主掺杂埋层；

阳极；

阴极；和

N阱或N型外延层，所述N阱或N型外延层包括：

第一区域，所述第一区域具有施主电子浓度；

第二区域，所述第二区域实质上与电子施主掺杂埋层相邻且具有比第一区域更高的施主电子浓度，其中第二区域包括注入的磷施主电子；和

第三区域，所述第三区域实质上与阳极相邻且具有比第一区域更低的施主电子浓度，其中第三区域包括硼。

2.如权利要求1中所述的肖特基二极管，其中第二区域配置为降低肖特基二极管的电阻。

3.如权利要求1中所述的肖特基二极管，其中第三区域配置为降低肖特基二极管的反向漏电流。

4.如权利要求1中所述的肖特基二极管，其中所述阳极和所述阴极分别包括钛、氮化钛或者钴中的至少一种。

5.如权利要求1中所述的肖特基二极管，其中N阱或者N型外延层进一步包括：

第四区域，所述第四区域实质上与阴极相邻，且具有比第一区域更高的施主电子浓度；

电介质场氧化物区域，所述电介质场氧化物区域形成为围绕阳极的环形结构；和

P型区域，所述P型区域形成为围绕阳极的环形结构，其中击穿电压取决于P型区域的掺杂。

6.如权利要求1中所述的肖特基二极管，其中以20KeV到50KeV范围内的能量，以5*10¹¹/cm²到5*10¹²/cm²范围内的剂量注入硼，且其中以600KeV到2MeV范围内的能量，以5*10¹¹/cm²到5*10¹²/cm²范围内的剂量注入磷施主电子。

7.如权利要求1中所述的肖特基二极管，其中第二区域从至少局部与阳极对准的区域延伸到至少局部与阴极对准的另一区域。

8.一种肖特基二极管，包括：

电子施主掺杂埋层；

阳极；

阴极；和

N阱或者N型外延层，所述N阱或者N型外延层包括：

第一区域，所述第一区域具有第一施主电子浓度，和

以下二者中的至少一个，或二者都包括：

相对较深的区域，所述相对较深的区域实质上与电子施主掺杂埋层相邻且具有比第一施主电子浓度更高的施主电子浓度，

相对较浅的区域，所述相对较浅的区域实质上与阳极相邻且具有比第一施主电子浓度更低的施主电子浓度。

9.如权利要求8中所述的肖特基二极管，其中N阱或者N型外延层包括相对较深的区域，且其中所述相对较深的区域包括注入的磷施主电子。

10.如权利要求8中所述的肖特基二极管，其中所述N阱或者N型外延层包括相对较浅的区域，且其中所述相对较浅的区域包括注入的硼。

11.如权利要求8中所述的肖特基二极管，其中N阱或者N型外延层包括相对较深的区域和相对较浅的区域，其中所述相对较深的区域包括注入的磷施主电子，且其中所述相对较浅的区域包括注入的硼。

12.如权利要求11中所述的肖特基二极管，其中注入的磷施主电子是以600KeV到2MeV范围内的能量，以5*10¹¹/cm²到5*10¹²/cm²范围内的剂量被注入的，且其中注入的硼是以20KeV到50KeV范围内的能量，以5*10¹¹/cm²到5*10¹²/cm²范围内的剂量被注入的。

13.如权利要求8中所述的肖特基二极管，其中阳极和阴极都是由低势垒高度金属形成的。

14.如权利要求8中所述的肖特基二极管，其中N阱或者N型外延层进一步包括：

第二相对较浅的区域，所述第二相对较浅的区域实质上与阴极相邻且具有比第一施主电子浓度更高的施主电子浓度；和

P型区域，所述P型区域形成为围绕阳极的环形结构。