[发明专利]半导体装置结构及其相关工艺

权利要求书

1.一种半导体装置结构，包含：

栅极，其位于第一沟槽内，并电容耦合来控制从第一导电类型的源极通过与所述沟槽相邻的半导体材料的竖直传导；

凹陷场板，其位于所述半导体材料附近并电容耦合至该材料；所述凹陷场板位于各个第二沟槽内；以及

至少部分位于所述各个第二沟槽底下的第二导电类型的扩散。

2.如权利要求1的半导体装置结构，其中所述装置还包括一层第二导电类型的掺杂物浓度区域，其从源极层延伸到所述扩散的至少其中之一。

3.如权利要求1的半导体装置结构，其中所述扩散的至少其中之一竖直延伸，并且与第二导电类型的本体层汇合。

4.如权利要求1的半导体装置结构，其中所述装置还包括一层第二导电类型的掺杂物浓度区域，其从源极层延伸到所述扩散的至少其中之一，并且所述扩散的至少其中之一竖直延伸，并与第二导电类型的本体层汇合。

5.如权利要求1的半导体装置结构，其中该栅极系具有分裂多晶组态。

6.如权利要求1的半导体装置结构，其中这些凹陷场板的至少其中之一具有分裂多晶组态。

7.如权利要求1的半导体装置结构，其中该栅极与这些凹陷场板的至少其中之一具有分裂多晶组态。

8.如权利要求1的半导体装置结构，其中所述第一导电类型为n型。

9.如权利要求1的半导体装置结构，其中所述栅极电容耦合来控制向所述第一导电类型的漏极扩散的竖直传导。

10.一种半导体装置结构，包含：

半导体层；

栅极，其位于所述半导体层内的第一沟槽内，并电容耦合来控制从一第一导电类型的源极通过所述沟槽附近所述层的第二导电类型部分的竖直传导；

凹陷场板，其位于所述半导体材料附近并电容耦合至该材料；所述凹陷场板位于各个第二沟槽内；

至少部分位于所述各个第二沟槽底下的第二导电类型的扩散组件；

由此所述扩散组件减少在切断状态下所述层的所述第二导电类型部分的耗尽。

11.如权利要求10的半导体装置结构，其中所述栅极具有分裂多晶组态。

12.如权利要求10的半导体装置结构，其中所述凹陷场板的至少其中之一具有分裂多晶组态。

13.如权利要求10的半导体装置结构，其中该栅极与这些凹陷场板的至少其中之一具有分裂多晶组态。。

14.如权利要求10的半导体装置结构，其中所述扩散组件浓度高得足以局部反掺杂所述半导体层并由此产生低于该第二沟槽的第二导电类型区域。

15.如权利要求10的半导体装置结构，其中所述半导体层是外延层。

16.一种半导体装置结构，包含：

半导体层；

栅极，其位于所述半导体层内的第一沟槽内，并电容耦合来控制从第一导电类型的源极通过所述沟槽附近所述层的第二导电类型部分的竖直传导；

凹陷场板，其位于所述半导体材料附近并电容耦合至该材料；所述凹陷场板位于各个第二沟槽内；

至少部分位于所述各个第二沟槽底下的第二导电类型的第一额外扩散组件；以及

至少部分位于所述层的所述第二传导类型部分内的所述第一导电类型的第二额外扩散组件；

由此所述第一额外扩散组件减少在切断状态下所述层的所述第二导电类型部分的耗尽；

以及由此所述第二额外扩散组件减少在接通状态下该装置的该接通电阻。

17.如权利要求16的半导体装置结构，其中所述栅极具有分裂多晶组态。

18.如权利要求16的半导体装置结构，其中所述凹陷场板的至少其中之一具有分裂多晶组态。

19.如权利要求16的半导体装置结构，其中该栅极与这些凹陷场板的至少其中之一具有分裂多晶组态。

20.如权利要求16的半导体装置结构，其中所述扩散组件浓度高得足以局部反掺杂所述半导体层，由此产生低于所述第二沟槽的第二导电类型区域。

21.如权利要求16的半导体装置结构，其中所述半导体层是外延层。