[发明专利]改良式击穿电压的边缘端点

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一个或多个活跃装置区段；

一边缘端点结构，其围绕一个或多个该活跃装置区段；以及

多个沟槽场板，其连续围绕该边缘端点以及彼此围绕；

其中该场板之一嵌埋在各自沟槽内，并且其中各自浓度的一补偿掺杂物位于该沟槽之下。

2.如权利要求1的装置，其中未嵌埋在一沟槽内的一额外场板也围绕一个或多个该沟槽场板。

3.如权利要求1的装置，其中该活跃装置区段包括垂直场效晶体管。

4.如权利要求1的装置，其中该活跃装置区段还包括与活跃装置互相混合的凹陷场板，并且该凹陷场板底下也具有补偿掺杂物浓度。

5.如权利要求1的装置，其中该活跃装置区段也包括与活跃装置互相混合的凹陷场板，并且该凹陷场板底下也具有补偿掺杂物浓度；并且其中该活跃装置区段内的该凹陷场板具有与一个或多个该沟槽场板相同的特性。

6.如权利要求1的装置，其中多个该沟槽场板电浮动。

7.如权利要求1的装置，其中位于多个该沟槽场板之下的一补偿掺杂物的该各自浓度足够高以反转底下材料的该导电类型。

8.如权利要求1的装置，其中位于多个该沟槽场板之下的一补偿掺杂物的该各自浓度向外扩散足够远以相互重叠。

9.如权利要求1的装置，还包括在该沟槽场板内的至少一无沟槽场板。

10.如权利要求1的装置，其中该活跃装置区段包括延伸进入某些端点，但并非全部该端点的一本体结。

11.如权利要求1的装置，其中该活跃装置区段与该端点建构在外延半导体材料内。

12.如权利要求1的装置，还包括一过渡区，其位于该活跃装置区段与该边缘端点结构之间。

13.如权利要求1的装置，其中在该活跃装置区段内有n++掺杂物，但是该沟槽场板之外的任何地方则没有。

14.一种半导体装置，包含：

具有一本体结的一个或多个活跃装置区段；

一边缘端点结构，其围绕一个或多个该活跃装置区段，并且包括具有背靠背结的一夹层结构，该背靠背结之一大体上与该本体结共平面；以及

一个或多个场板，其电容耦合至该边缘端点结构。

15.如权利要求14的装置，其中该夹层结构包括n型层之间的一p型中间层。

16.如权利要求14的装置，其中该本体结深度小于0.5微米。

17.如权利要求14的装置，包括多个该场板。

18.一种功率半导体装置，包含：

一个或多个功率装置的一活跃区域，该功率装置具有该装置关闭时逆向偏压的一第一导电类型本体；以及相邻该活跃区域，

一端点区域包括一夹层结构，该结构包括一第一导电类型扩散，以及位于该第一导电类型扩散之上和之下的第二导电类型扩散。

19.如权利要求18的装置，其中该本体为p型。

20.如权利要求18的装置，其中该夹层结构内的该第一导电类型扩散为至少部分该本体扩散的一延伸。

21.如权利要求18的装置，其中该端点区域还包括至少一场板，其电容耦合至至少部分该第一传导类型扩散。

22.一种半导体开关，包括：

具有一本体结的一个或多个活跃装置区段；

一边缘端点结构，其围绕一个或多个该活跃装置区段，并且包括具有背靠背结的一夹层结构，该背靠背结之一大体上与该本体结共平面；以及

多个沟槽场板，其连续围绕该边缘端点以及彼此围绕；

其中该场板之一嵌埋在各自沟槽内，并且其中各自浓度的一补偿掺杂物位于该沟槽之下。

23.如权利要求22的开关，其中该夹层结构包括n型层之间的一p型中间层。

24.如权利要求22的开关，其中该本体结深度小于0.5微米。

25.如权利要求22的开关，包括多个该场板。