[发明专利]荧光体无效

专利信息
申请号: 200980113217.0 申请日: 2009-03-18
公开(公告)号: CN102007195A 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 户田健司;上松和义;佐藤峰夫;梅田铁;伊藤丰 申请(专利权)人: 国立大学法人新泻大学;住友化学株式会社
主分类号: C09K11/59 分类号: C09K11/59;C09K11/66;H01J11/02;H01J29/20;H01J31/15;H01J61/44
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 陈平
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 荧光
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种荧光体。

背景技术

荧光体用于发光器件。所述发光器件包括真空紫外线-激发的发光器件(例如,等离子体显示面板、稀有气体灯等),其中用于荧光体的激发源是真空紫外线,而荧光体由上述激发源等的辐照而产生激发能从而发射光。

作为常规荧光体,非专利文献1公开了一种荧光体,其中作为活化剂的Eu被包含在由CaMgSi2O6表示的化合物中。

非专利文献1:Takashi Kunimoto的″用于真空紫外线激发的发蓝光Eu-活化的CaMgSi2O6荧光体(Blue light emitting Eu-activated CaMgSi2O6 Phosphor for vacuum ultraviolet ray excitation)″,2000年会议论文集(Proceedings of 2000),电子信息与通信工程师学会(the Institute of Electronics Information and Communication Engineers(IEICE)),大会演讲论文集2(Society Conference Speech Articles 2),第46页,2000年9月7日。

发明内容

本发明要解决的问题

上述荧光体没有足够的亮度,并且仍然存在改善的空间。本发明的目的在于提供可以表现出更高光发射亮度的荧光体。

用于解决问题的手段

本发明人为了解决上述问题而致力于研究,并且因而完成了本发明。

即,本发明人提供了下面的发明:

<1>一种荧光体,所述荧光体包括:

由式xM1O·M2O·yM3O2表示的化合物,其中M1表示选自由Ca、Sr和Ba组成的组中的一种或多种元素,M2表示Mg和/或Zn,M3表示Si和/或Ge,x是在4至6的范围内的值,并且y是在2至4的范围内的值;以及包含在所述化合物中的活化剂。

<2>一种荧光体,所述荧光体包含:

由式M15M2M33O12表示的化合物,其中M1、M2和M3具有与上述相同的含义,以及

包含在所述化合物中的活化剂。

<3>根据上述<1>或<2>所述的荧光体,其中所述活化剂是Eu。

<4>一种由式M15(1-z)EuzM2M33O12表示的荧光体,其中M1、M2和M3具有与上述相同的含义,并且z是在0.0001至0.3的范围内的值。

<5>根据上述<1>至<4>中任一项所述的荧光体,所述荧光体具有与白硅钙石的晶体结构相同类型的晶体结构。

<6>一种荧光体膏,所述荧光体膏具有根据上述<1>至<5>中任一项所述的荧光体。

<7>一种荧光体层,所述荧光体层是通过将根据上述<6>的荧光体膏涂布在基底上,之后将其热处理而获得的。

<8>一种发光器件,所述发光器件具有根据上述<1>至<5>中任一项所述的荧光体。

本发明的优点

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