[发明专利]不可逆电路和不可逆电路元件、以及其中使用的中心导体组装体有效
申请号: | 200980113219.X | 申请日: | 2009-04-17 |
公开(公告)号: | CN102007638A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 岸本靖 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H01P1/36 | 分类号: | H01P1/36 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 可逆 电路 元件 以及 其中 使用 中心 导体 组装 | ||
1.一种中心导体组装体,使用于在第一输入输出端口与第二输入输出端口之间配置了第一电感元件、且在第二输入输出端口与接地端口之间配置了第二电感元件的不可逆电路,其特征在于,
在磁性材料基板上一体地形成构成所述第一电感元件的第一中心导体和构成所述第二电感元件的第二中心导体,
所述第二中心导体在所述基板的主面侧隔着磁性体层或者电介质层与所述第一中心导体交叉,
所述第二中心导体的至少一个端部按照其中流过的高频电流相对于流过所述第一中心导体的高频电流成为正向或者反向的方式弯曲。
2.根据权利要求1所述的中心导体组装体,其特征在于,
所述第一中心导体的一部分以及所述第二中心导体形成在所述基板的主面侧,所述第一中心导体的其他部分形成在所述基板内。
3.根据权利要求1或2所述的中心导体组装体,其特征在于,
所述第一电感元件的电感比所述第二电感元件的电感小。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的中心导体组装体,其特征在于,
所述第一中心导体和所述第二中心导体的端部,分别通过通孔或者形成在基板侧面的电极,与形成在底面的端子电极导通。
5.一种中心导体组装体,使用于在第一输入输出端口与第二输入输出端口之间配置了第一电感元件、且在第二输入输出端口与接地端口之间配置了第二电感元件的不可逆电路,其特征在于,
在磁性材料基板上一体地形成构成所述第一电感元件的第一中心导体和构成所述第二电感元件的第二中心导体,
所述第二中心导体是串联连接形成在所述基板的主面侧的多条带状导体和形成在背面侧的至少一条带状导体而构成的1.5匝以上的线圈状,
所述第二中心导体的多条带状导体在所述基板的主面侧隔着磁性体层或者电介质层与所述第一中心导体交叉。
6.根据权利要求5所述的中心导体组装体,其特征在于,
所述第一中心导体的一部分形成在所述基板的主面侧,其他部分形成在所述基板内。
7.根据权利要求5或6所述的中心导体组装体,其特征在于,
所述第一电感元件的电感比所述第二电感元件的电感小。
8.根据权利要求5~7中任意一项所述的中心导体组装体,其特征在于,
所述第一中心导体和所述第二中心导体的端部,分别通过通孔或者形成在基板侧面的电极,与形成在底面的端子电极导通。
9.一种中心导体组装体,使用于在第一输入输出端口与第二输入输出端口之间配置了第一电感元件、且在第二输入输出端口与接地端口之间配置了第二电感元件的不可逆电路,其特征在于,
在磁性材料基板上一体地形成构成所述第一电感元件的第一中心导体和构成所述第二电感元件的第二中心导体,
所述第二中心导体是串联连接形成在所述基板的主面侧的多条带状导体和形成在背面侧的至少一条带状导体而构成的1.5匝以上的线圈状,
所述基板的主面侧的所述多条带状导体隔着磁性体层或者电介质层与所述第一中心导体交叉,
所述基板的主面侧的所述第二中心导体的多条带状导体各自的至少一个端部按照其中流过的高频电流相对于流过所述第一中心导体的高频电流成为正向或者反向的方式弯曲。
10.一种不可逆电路,具备权利要求1~9中任意一项所述的中心导体组装体,其特征在于,
具备:对所述中心导体组装体施加直流磁场的永久磁铁、与所述第一电感元件构成第一并联谐振电路的第一电容元件、及与所述第二电感元件构成第二并联谐振电路的第二电容元件。
11.一种不可逆电路元件,具备权利要求1~9中任意一项所述的中心导体组装体,其特征在于,
具备:对所述中心导体组装体施加直流磁场的永久磁铁、与所述第一电感元件构成第一并联谐振电路的第一电容元件、及与所述第二电感元件构成第二并联谐振电路的第二电容元件,所述第一电容元件以及第二电容元件内置在多层基板内,所述中心导体组装体安装在所述多层基板的主面上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社,未经日立金属株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980113219.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。