[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200980113300.8 | 申请日： | 2009-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102007596A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 玉祖秀人 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/338;H01L29/12;H01L29/417;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件(1，3)，包括：
SiC晶片(10，30)，所述SiC晶片由碳化硅构成；以及
欧姆接触电极(16，39，41，42，44)，所述欧姆接触电极被布置成与所述SiC晶片(10，30)相接触并且包含钛、铝、硅和碳以及其余不可避免的杂质，
所述SiC晶片(10，30)包括：
具有n型导电类型的n型区(14，35，37)，以及
具有p型导电类型的p型区(18，36，43)，
所述n型区(14，35，37)和所述p型区(18，36，43)中的每个与所述欧姆接触电极(16，39，41，42，44)相接触，以及
在包括与所述SiC晶片(10，30)的交界面的区域中，所述欧姆接触电极(16，39，41，42，44)包含铝和钛。
2.根据权利要求1所述的半导体器件(1)，其中，
所述欧姆接触电极(16)被布置成从与所述n型区(14)相接触的区域延伸到与所述p型区(18)相接触的区域。
3.根据权利要求1所述的半导体器件(3)，包括多个所述欧姆接触电极(39，41，42，44)，其中，
所述多个欧姆接触电极(39，41，42，44)中的一个所述欧姆接触电极(39，42)与所述n型区(35，37)相接触，并且另一个所述欧姆接触电极(41，44)与所述p型区(36，43)相接触。
4.一种半导体器件(1，3)，包括：
SiC晶片(10，30)，所述SiC晶片由碳化硅构成；以及
欧姆接触电极(16，39，41，42，44)，所述欧姆接触电极被布置成与所述SiC晶片(10，30)相接触并且包含钛、铝、硅和碳以及其余不可避免的杂质，
所述SiC晶片(10，30)包括：
具有n型导电类型的n型区(14，35，37)，以及
具有p型导电类型的p型区(18，36，43)，
所述n型区(14，35，37)和所述p型区(18，36，43)中的每个与所述欧姆接触电极(16，39，41，42，44)相接触，以及
所述欧姆接触电极(16，39，41，42，44)的包括反向于所述SiC晶片(10，30)的表面的区域中包含硅。
5.根据权利要求4所述的半导体器件(1，3)，其中，
所述欧姆接触电极(16，39，41，42，44)中的硅含量向着所述SiC晶片(10，30)单调增加。
6.根据权利要求4所述的半导体器件(1，3)，其中，
所述欧姆接触电极(16，39，41，42，44)中的铝含量向着所述SiC晶片(10，30)单调减少。
7.根据权利要求4所述的半导体器件(1，3)，其中，
所述欧姆接触电极(16，39，41，42，44)中的钛含量从反向于所述SiC晶片(10，30)的表面向着所述SiC晶片(10，30)单调增加并且达到最大值，并且此后单调减少。
8.根据权利要求4所述的半导体器件(1)，其中，
所述欧姆接触电极(16)被布置成从与所述n型区(14)相接触的区域延伸到与所述p型区(18)相接触的区域。
9.根据权利要求4所述的半导体器件(3)，包括多个所述欧姆接触电极(39，41，42，44)，其中，
所述多个欧姆接触电极(39，41，42，44)中的一个所述欧姆接触电极(39，42)与所述n型区(35，37)相接触，另一个所述欧姆接触电极(41，44)与所述p型区(36，43)相接触。
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