[发明专利]基板载置台的降温方法、计算机可读取的存储介质和基板处理系统有效
申请号: | 200980113330.9 | 申请日: | 2009-09-14 |
公开(公告)号: | CN102007588A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 小林贤一;仲山阳一;甲斐亘三;白坂贤治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C16/44;H01L21/205 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板载置台 降温 方法 计算机 读取 存储 介质 处理 系统 | ||
1.一种基板载置台的降温方法,其使用具有如下构成的基板处理系统,该基板处理系统包括:
设有用于加热基板的加热机构的第一基板载置台;
一个以上的处理室,其在内部设置有该第一基板载置台,在该第一基板载置台上载置有该基板的状态下进行规定的处理;
向该处理室搬送该基板的基板搬送装置;
在内部设置该基板搬送装置的搬送室;和
用于冷却该基板的第二基板载置台,
所述基板载置台的降温方法的特征在于,
包括:
利用所述基板搬送装置将载置在所述第一基板载置台上的所述基板向所述第二基板载置台搬送的第一移载工序;和
利用所述基板搬送装置将载置在所述第二基板载置台上的所述基板向所述第一基板载置台搬送的第二移载工序,
通过反复进行所述第一移载工序和所述第二移载工序,利用载置在所述第一基板载置台上的所述基板吸收该第一基板载置台的热,使该第一基板载置台降温。
2.根据权利要求1所述的基板载置台的降温方法,其特征在于:
还包括利用设置于所述第二基板载置台的冷却机构,对载置在该第二基板载置台上的所述基板进行冷却的冷却工序。
3.根据权利要求1所述的基板载置台的降温方法,其特征在于:
所述基板处理系统还具有作为真空准备室的装载锁定室,该装载锁定室与所述搬送室邻接设置,并且在内部设有载置台,
所述装载锁定室内的所述载置台兼用作所述第二基板载置台。
4.根据权利要求1所述的基板载置台的降温方法,其特征在于:
所述第二基板载置台设置在所述搬送室内。
5.根据权利要求1所述的基板载置台的降温方法,其特征在于:
所述基板处理系统还具有用于冷却所述基板的基板冷却室,
所述第二基板载置台设置在所述基板冷却室内。
6.根据权利要求1所述的基板载置台的降温方法,其特征在于,还包括:
在规定的温度带,控制在一定的速度进行所述第一基板载置台的降温的第一降温工序;和
在比所述规定的温度带低的温度带,通过自然降温进行所述第一基板载置台的降温的第二降温工序,
仅在所述第二降温工序期间进行所述第一移载工序和所述第二移载工序。
7.根据权利要求1所述的基板载置台的降温方法,其特征在于:
在所述处理室和所述搬送室成为真空状态时进行所述第一移载工序和所述第二移载工序。
8.根据权利要求1所述的基板载置台的降温方法,其特征在于:
所述基板由具有在上表面形成有多个凸部的散热构造的降温处理专用基板构成。
9.一种计算机可读取的存储介质,其存储有在计算机上动作的控制程序,其特征在于:
所述控制程序,对基板处理系统进行控制,在所述计算机中执行基板载置台的降温方法,其中,所述基板处理系统包括:
设有用于加热基板的加热机构的第一基板载置台;
一个以上的处理室,其在内部设置有该第一基板载置台,在该第一基板载置台上载置有该基板的状态下进行规定的处理;
向该处理室搬送基板的基板搬送装置;
在内部设置有该基板搬送装置的搬送室;和
用于冷却该基板的第二基板载置台,
所述基板载置台的降温方法包括:
利用所述基板搬送装置将载置在所述第一基板载置台上的基板向第二基板载置台搬送的第一移载工序;和
利用所述基板搬送装置将载置在所述第二基板载置台上的所述基板向所述第一基板载置台搬送的第二移载工序,
通过反复进行所述第一移载工序和所述第二移载工序,利用载置在所述第一基板载置台上的所述基板吸收该第一基板载置台的热,使该第一基板载置台降温。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造