[发明专利]特别用于应变或应力硅材料的刻蚀组合物、表征这种材料表面上的缺陷的方法，和用刻蚀组合物处理这种表面的工艺

权利要求书

1.一种刻蚀组合物，优选为溶液，其包含HF、HNO₃、乙酸和优选为碘化钾的碱金属碘化物，其中所述碱金属碘化物的量为1毫摩尔/100毫升以上。

2.根据权利要求1所述的刻蚀溶液，其中碘化钾的量为1至30毫摩尔/100毫升，优选1至12毫摩尔/100毫升，更优选1至5毫摩尔/100毫升，特别是1至1.8毫摩尔/100毫升。

3.根据权利要求1和/或2所述的刻蚀溶液，其中HF/HNO₃体积比为1∶1至1∶50，优选为1∶8至1∶35，特别为1∶32。

4.根据权利要求1、2和/或3任一项所述的刻蚀溶液，其中HF/乙酸体积比为1∶2至1∶50，优选为1∶8至1∶35，特别为1∶35。

5.根据权利要求1、2、3和/或4任一项所述的刻蚀溶液，其中刻蚀组合物由HF、HNO₃、乙酸、碘化钾组成。

6.一种表征硅表面上的缺陷的方法，其包括用权利要求1至5任一项所述的刻蚀溶液处理硅表面的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述硅表面为SOI或sSOI衬底或应力Si表面(在SiGe层顶部)。

8.根据权利要求6和/或7任一项所述的方法，其中所述方法包括用HF进行经处理的硅表面的后处理。

9.根据权利要求6、7或8任一项所述的方法，其中所述方法进一步包括单独的或组合的如下步骤的任一项：

- 用HF预处理硅表面

- 通过用去离子水冲洗而间歇处理硅表面

- 干燥硅表面。

10.根据权利要求6、7和/或9任一项所述的方法，其进一步包括视觉评估经处理的硅表面的步骤。

11.一种刻蚀硅表面的工艺，其包括用权利要求1至5任一项所述的刻蚀溶液处理硅表面的步骤。

12.根据权利要求11所述的工艺，其中所述硅表面为SOI或sSOI衬底或在SiGe层顶部的应力Si表面。

13.根据权利要求11或12所述的工艺，其中该工艺进一步包括用HF预处理硅表面。

14.根据权利要求11、12或13所述的工艺，其中该工艺进一步包括通过用去离子水冲洗并浸入HF 49％溶液几秒钟以进行缺陷显示的硅衬底的后处理。

15.根据权利要求6、7、8、9或10的方法或根据权利要求11、12、13或14的工艺，其中用权利要求1至5任一项所述的刻蚀溶液处理硅表面的步骤在5℃至25℃的温度下进行。