[发明专利]用于测量半导体衬底传送盒的污染的站和方法有效
申请号: | 200980113844.4 | 申请日: | 2009-04-16 |
公开(公告)号: | CN102007569A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | A·法夫尔;E·戈多;B·贝莱 | 申请(专利权)人: | 阿尔卡特朗讯公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测量 半导体 衬底 传送 污染 方法 | ||
1.一种用于测量用于传送和大气保存半导体衬底的传送盒的微粒污染的测量站,所述盒包括能够借助于可拆卸入口门而关闭的外壳,所述站包括:
-接口,其能够连至所述传送盒的外壳而不是所述门,所述接口包括安排在导管的一个活动端上的至少一个喷嘴,所述导管从所述接口伸出以在与连至所述测量站的外壳的内部的壁的一部分相垂直的方向中引导气体射流,从而借助于该气体射流对所述壁的冲击而使得微粒从所述外壳分离,和
-测量设备,其包括真空泵、微粒计量器和测量管道,该测量管道的入口通往所述外壳的内部并且其出口连至所述真空泵,所述测量管道还连至所述微粒计量器以创建在连至所述测量站的传送盒的外壳的内部与所述微粒计量器之间的连通。
2.根据权利要求1所述的测量站,其中,所述接口配备有多个垫片以使得所述接口能够连至所述外壳同时留出间隙以使得泄漏流能够在所述外壳的内部与外部环境之间通过。
3.根据权利要求2所述的测量站,其特征在于,所述垫片具有凸点的形状。
4.根据权利要求1所述的测量站,包括围绕所述接口的ISO3认证的清洁室型的大气室。
5.根据前述权利要求之一所述的测量站,其中,所述喷嘴被配置成喷射脉冲气体射流。
6.根据前述权利要求之一所述的测量站,其中,所述接口包括配备有微粒过滤器的多个喷嘴。
7.根据前述权利要求之一所述的测量站,包括用于阻止已过滤气体通过所述传送盒的外壳的塞子。
8.根据前述权利要求之一所述的测量站,包括用于向清洁单元发送代表所述盒的外壳的清洁状态的信号的处理单元。
9.一种用于测量用于传送和大气保存半导体衬底的传送盒的微粒污染的方法,包括:
-第一步骤,其中,与连至所述微粒污染测量站的盒子的外壳的内部的壁的一部分相垂直地引导气体射流,如前述权利要求之一所限定的那样,从而借助于所述气体射流对所述壁的冲击而使得所述微粒从所述外壳分离,并且所述真空泵被启动以产生从连至所述测量站的传送盒的外壳的内部向所述微粒计量器排出的气体,和
-第二步骤,其中,利用所述微粒计量器测量微粒的数量,并且将所述测量的结果与预定阈值相比较以基于比较结果来确定是否需要进行液体清洁步骤。
10.根据权利要求9所述的测量方法,其中,在所述测量方法的第一步骤中以不连续的方式喷射气体射流。
11.根据权利要求9所述的测量方法,其中,
-在所述第一步骤期间,对着所述壁喷射所述气体射流,
-然后,在所述第二步骤期间,停止喷射以测量微粒的数量并且垂直于新的壁区域而放置所述喷嘴,和
-所述第一和第二步骤重复进行以基于比较结果来确定是否需要进行液体清洁步骤。
12.根据权利要求9至13之一所述的测量方法,其中,喷射流大于泵浦流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造