[发明专利]成膜方法和成膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及在真空中通过蒸镀进行成膜的技术，特别地，涉及反射镜中使用的反射膜的成膜技术。

背景技术

以往，在制造这种反射镜之际，向真空槽内导入氩(Ar)气并通过蒸镀而在成膜对象物上形成反射膜，然后向真空槽内导入拒水性聚合物膜形成用单体而在反射膜上形成聚合物膜，进而使用氩气的等离子体进行聚合物膜表面的亲水化处理(例如，参照专利文献1)。

近年，这类反射镜制造用的成膜装置的构成的简化和成本降低受到要求，故为此目的的研究开发不断进展。

专利文献1：日本特开2003-207611号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明是为解决上述以往的技术课题而完成的方面，其目的在于提供能够简化装置构成和降低成本的反射膜形成技术。

用于解决课题的手段

本发明人等为解决上述课题反复深入研究，结果发现：通过使用含有氧的气体进行蒸镀和亲水化处理能够形成与使用氩气的情形相比毫不逊色的膜，从而完成了本发明。

基于上述见解而完成的本发明是成膜方法，其具有：一边将含有氧的处理气体导入至成膜区域一边通过蒸镀在成膜对象物上形成光反射性的反射膜的反射膜形成工序；在前述反射膜上形成拒水性聚合物膜的聚合物膜形成工序；和一边将含有氧的处理气体导入至成膜区域一边在前述拒水性聚合物膜上实施基于等离子体的亲水化处理的亲水化处理工序。

此外，对于本发明，在前述发明中，在前述亲水化处理工序中导入的前述处理气体是空气。

此外，对于本发明，在前述发明中，在前述蒸镀膜形成工序中导入的前述处理气体是空气。

此外，对于本发明，在前述发明中，前述成膜对象物是构成反射镜的立体性构件。

另一方面，本发明是成膜装置，其具有：能够容纳成膜对象物的真空处理槽；连接于前述真空处理槽、且导入含有氧的处理气体的处理气体导入部；连接于前述真空处理槽、且导入拒水性聚合物膜形成用单体的单体导入部；设置在前述真空处理槽内的蒸发源；和设置在前述真空处理槽内的等离子体发生源。

此外，对于本发明，在前述发明中，前述处理气体导入部构成为导入前述真空处理槽近傍的空气。

在本发明的情形，由于在含有氧的处理气体中在拒水性聚合物膜上实施基于等离子体的亲水化处理，故与以往使用氩气的情形相比，可以通过使用活性的自由基来使反应性提高。其结果，可以减小在亲水化处理工序中向拒水性聚合物膜上投入的电力，因此可削减电力成本。

此外，根据本发明，通过使用空气作为处理气体，可以削减反射膜形成和亲水化处理中的处理气体的成本，同时由于变得不需要处理气体用的配管等，因此可以实现简化装置构成和降低成膜装置的成本。

进一步地，如果使用空气作为处理气体，则由于变得不需要防止缺氧等的安全对策，故可以提供容易操作的成膜装置。

发明效果

根据本发明，可以提供能够简化装置构成和降低成本的反射膜形成技术。

附图说明

[图1]表示本实施方式的成膜装置的内部构成的截面图

[图2]表示本发明所述的成膜方法的一例的流程图

[图3](a)～(d)：表示由相同成膜方法形成的膜的构成的截面图

符号说明

1…成膜装置、2…真空处理槽(成膜区域)、3…处理气体导入部、4…单体导入部、5…保持机构、20…成膜对象物、22…反射膜、23…拒水性聚合物膜、24…亲水化聚合物膜、30…空气

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。

图1是表示本实施方式的成膜装置的内部构成的截面图。

如图1所示地，本实施方式的成膜装置1具有连接于未图示的真空排气系统的真空处理槽(成膜区域)2。

该真空处理槽2分别连接于设置在真空处理槽2外部的处理气体导入部3与单体导入部4。

处理气体导入部3构成为：导入管32介由流量调节阀31而连接于真空处理槽2，并由真空处理槽2近傍的大气将规定量的空气30导入至真空处理槽2内。

单体导入部4具有供给拒水性聚合物膜形成用单体的单体供给源40。该单体供给源40介由流量调节阀41而连接有导入管42，且构成为介由该导入管42而将规定量的单体导入至真空处理槽2内。

真空处理槽2内，设置有保持成膜对象物20的保持机构5。

本实施方式的保持机构5，在真空处理槽2的中央区域中，具有例如朝向铅直方向设置的直线状的保持部6。