[发明专利]研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法有效
申请号: | 200980114267.0 | 申请日: | 2009-04-22 |
公开(公告)号: | CN102017091A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 星阳介;龙崎大介;小山直之;野部茂 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨剂 使用 研磨 方法 | ||
1.一种研磨剂,其特征在于,含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂,所述添加剂含有阳离子性的聚合物和阳离子性的多糖类中的至少一者。
2.一种研磨剂,其特征在于,含有水、4价金属氢氧化物粒子及添加剂,所述添加剂中的至少一种成分选自以下的(1)~(6)组成的组中:
(1)氨基糖或具有氨基糖的多糖类;
(2)乙抱亚胺聚合物或其衍生物;
(3)烯丙胺聚合物或其衍生物;
(4)二烯丙基胺聚合物或其衍生物;
(5)乙烯胺聚合物或其衍生物;
(6)含有选自下述通式(I)~(IV)的组中的至少一种单体成分的聚合物:
通式(I)~(IV)中,R1~R5分别独立地表示氢原子或1价的有机基团,X表示2价的有机基团。
3.如权利要求1或2所述的研磨剂,其特征在于,所述4价金属氢氧化物粒子的平均粒径为1nm~400nm。
4.如权利要求1~3中任一项所述的研磨剂,其特征在于,研磨剂的pH值为3.0~7.0。
5.如权利要求1~4中任一项所述的研磨剂,其特征在于,所述4价金属氢氧化物粒子的含有量相对于100重量份的研磨剂为0.001重量份~5重量份。
6.如权利要求1~5中任一项所述的研磨剂,其特征在于,所述4价金属氢氧化物粒子在研磨剂中的ζ电位为+10mV以上。
7.如权利要求1~6中任一项所述的研磨剂,其特征在于,所述阳离子性的聚合物和所述阳离子性的多糖类的合计含有量相对于100重量份的研磨剂为0.0001重量份以上。
8.如权利要求1~7中任一项所述的研磨剂,其特征在于,所述添加剂为壳聚糖及其衍生物中的任一者。
9.如权利要求1~8中任一项所述的研磨剂,其特征在于,进一步含有聚乙烯醇。
10.如权利要求1~9中任一项所述的研磨剂,其特征在于,用于研磨至少在表面含有氧化硅的被研磨面。
11.如权利要求1~10中任一项所述的研磨剂,其特征在于,4价金属氢氧化物为稀土类金属氢氧化物及氢氧化锆中的至少一者。
12.一种基板的研磨方法,其特征在于,将形成有被研磨膜的基板放到研磨平台的研磨布上并加压,一边向被研磨膜与研磨布之间供给权利要求1~11中任一项所述的研磨剂、一边使基板和研磨平台相对运动而研磨被研磨膜。
13.如权利要求12所述的研磨方法,其特征在于,使用肖氏D级硬度为70以上的研磨布作为所述研磨布。
14.一种研磨剂组件,其特征在于,其为浆体与添加液分开保存、在研磨前或研磨时混合而形成权利要求1~11中任一项所述的研磨剂的研磨剂组件,浆体含有4价金属氢氧化物粒子及水,添加液含有添加剂和水。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造